Продукція > VISHAY SILICONIX > IRFBC40LPBF

IRFBC40LPBF Vishay Siliconix

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 6.2A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IRFBC40LPBF Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 600V 6.2A TO262-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.7A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 130W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-262-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRFBC40LPBF

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна без ПДВ
IRFBC40LPBF	Vishay Semiconductors	MOSFETs MOSFET N-CHANNEL 600V	товару немає в наявності Підписка на надходження	Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн.
IRFBC40LPBF	VISHAY	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.2A; I2PAK,TO262 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 6.2A Case: I2PAK; TO262 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.2Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement	товару немає в наявності Підписка на надходження	Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн.
IRFBC40LPBF	Vishay	Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-262	товару немає в наявності Підписка на надходження	Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн.

IRFBC40LPBF

Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs MOSFET N-CHANNEL 600V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFBC40LPBF

Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.2A; I2PAK,TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.2A
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFBC40LPBF

Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-262

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.