Технічний опис IRFBC40PBF Vishay
Description: VISHAY - IRFBC40PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.2 A, 1.2 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 125W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm.
Інші пропозиції IRFBC40PBF за ціною від 65.09 грн до 240.14 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFBC40PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.9A; Idm: 25A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 3.9A Pulsed drain current: 25A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.2Ω Mounting: THT Gate charge: 60nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 425 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFBC40PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 110 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFBC40PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 110 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFBC40PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 4265 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFBC40PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 4257 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFBC40PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 425 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFBC40PBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 600V 6.2A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.7A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V |
на замовлення 1452 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFBC40PBF | Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO220 600V 6.2A N-CH MOSFET |
на замовлення 1449 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
IRFBC40PBF | VISHAY |
Description: VISHAY - IRFBC40PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.2 A, 1.2 ohm, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 125W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm |
на замовлення 1234 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
IRFBC40PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 131 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 7 шт В кошику од. на суму грн. |
| IRFBC40PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.9A; Idm: 25A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.9A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.9A; Idm: 25A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.9A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 425 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 118.06 грн |
| 10+ | 89.93 грн |
| 50+ | 75.37 грн |
| 100+ | 71.09 грн |
| 250+ | 65.09 грн |
| IRFBC40PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 135.10 грн |
| 50+ | 133.80 грн |
| 100+ | 113.89 грн |
| IRFBC40PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 104+ | 135.92 грн |
| 105+ | 134.61 грн |
| IRFBC40PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 4265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 140.47 грн |
| 50+ | 139.00 грн |
| 100+ | 116.79 грн |
| 500+ | 92.21 грн |
| 1000+ | 72.57 грн |
| 2000+ | 68.96 грн |
| IRFBC40PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 4257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 101+ | 140.56 грн |
| 102+ | 139.10 грн |
| 121+ | 116.87 грн |
| 500+ | 92.27 грн |
| 1000+ | 72.62 грн |
| 2000+ | 69.01 грн |
| IRFBC40PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 91+ | 156.74 грн |
| 108+ | 131.71 грн |
| 114+ | 123.81 грн |
| 250+ | 109.23 грн |
| IRFBC40PBF |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 6.2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 600V 6.2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 1452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 240.14 грн |
| 10+ | 150.46 грн |
| 50+ | 115.62 грн |
| 100+ | 97.97 грн |
| 500+ | 79.48 грн |
| IRFBC40PBF |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 600V 6.2A N-CH MOSFET
MOSFETs TO220 600V 6.2A N-CH MOSFET
на замовлення 1449 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IRFBC40PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFBC40PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.2 A, 1.2 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
Description: VISHAY - IRFBC40PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.2 A, 1.2 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
на замовлення 1234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRFBC40PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)







