на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 40.80 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFBC40PBF Vishay
Description: VISHAY - IRFBC40PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.2 A, 1.2 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRFBC40PBF за ціною від 46.24 грн до 164.84 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFBC40PBF | Виробник : VISHAY |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.9A; Idm: 25A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 3.9A Pulsed drain current: 25A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.2Ω Mounting: THT Gate charge: 60nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 459 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFBC40PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 131 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFBC40PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 2295 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFBC40PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 2295 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFBC40PBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.9A; Idm: 25A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 3.9A Pulsed drain current: 25A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.2Ω Mounting: THT Gate charge: 60nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 459 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFBC40PBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO220 600V 6.2A N-CH MOSFET |
на замовлення 1824 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFBC40PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFBC40PBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 600V 6.2A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.7A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V |
на замовлення 417 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFBC40PBF | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRFBC40PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.2 A, 1.2 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 597 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFBC40PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 131 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
|
|
IRFBC40PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 110 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
| IRFBC40PBF | Виробник : Vishay/IR |
N-канальний ПТ; Udss, В = 600; Id = 6,2 А; Ptot, Вт = 125; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 1300 @ 25; Qg, нКл = 60 @ 10 В; Rds = 1,2 Ом @ 3,7 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; TO-220AB |
на замовлення 2150 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
||||||||||||||||
| IRFBC40PBF | Виробник : Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-220AB |
на замовлення 100 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||
|
|
IRFBC40PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товару немає в наявності |