Продукція > VISHAY SEMICONDUCTORS > IRFBC40SPBF
IRFBC40SPBF

IRFBC40SPBF Vishay Semiconductors

sihfbc40.pdf
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-Chan 600V 6.2 Amp
на замовлення 477 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFBC40SPBF Vishay Semiconductors

Description: VISHAY - IRFBC40SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.2 A, 1.2 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 6.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 130W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm.

Інші пропозиції IRFBC40SPBF

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRFBC40SPBF IRFBC40SPBF VISHAY VISH-S-A0013572234-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFBC40SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.2 A, 1.2 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 130W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
на замовлення 419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40SPBF VISH-S-A0013572234-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFBC40SPBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFBC40SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.2 A, 1.2 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 130W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
на замовлення 419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.