Продукція > VISHAY > IRFBE20PBF
IRFBE20PBF

IRFBE20PBF Vishay

91117.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 1.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
164+86.19 грн
172+82.46 грн
500+80.65 грн
Мінімальне замовлення: 164 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFBE20PBF Vishay

Description: VISHAY - IRFBE20PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.8 A, 6.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 1.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 54W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6.5ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRFBE20PBF за ціною від 65.81 грн до 215.07 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRFBE20PBF IRFBE20PBF Vishay 91117.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 1.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+97.03 грн
10+86.20 грн
100+82.48 грн
500+77.79 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE20PBF IRFBE20PBF Vishay Siliconix 91117.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 1.8A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V
на замовлення 1306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+215.07 грн
50+103.49 грн
100+93.43 грн
500+71.13 грн
1000+65.81 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE20PBF IRFBE20PBF Vishay Semiconductors 91117.pdf MOSFETs TO220 800V 1.8A N-CH MOSFET
на замовлення 18205 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE20PBF IRFBE20PBF VISHAY VISH-S-A0019267816-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFBE20PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.8 A, 6.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6.5ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE20PBF IRFBE20PBF Vishay 91117.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 1.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 64 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE20PBF 91117.pdf
IRFBE20PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 1.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+97.03 грн
10+86.20 грн
100+82.48 грн
500+77.79 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE20PBF 91117.pdf
IRFBE20PBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 800V 1.8A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V
на замовлення 1306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+215.07 грн
50+103.49 грн
100+93.43 грн
500+71.13 грн
1000+65.81 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE20PBF 91117.pdf
IRFBE20PBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 800V 1.8A N-CH MOSFET
на замовлення 18205 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE20PBF VISH-S-A0019267816-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFBE20PBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFBE20PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.8 A, 6.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6.5ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE20PBF 91117.pdf
IRFBE20PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 1.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 64 шт
В кошику  од. на суму  грн.