Продукція > VISHAY > IRFBE20PBF
IRFBE20PBF

IRFBE20PBF Vishay

91117.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 1.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+30.69 грн
Мінімальне замовлення: 11
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFBE20PBF Vishay

Description: VISHAY - IRFBE20PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.8 A, 6.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 1.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 54W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6.5ohm, SVHC: No SVHC (17-Dec-2014).

Інші пропозиції IRFBE20PBF за ціною від 40.93 грн до 100.13 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRFBE20PBF IRFBE20PBF Виробник : VISHAY IRFBE20.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.8A; Idm: 7.2A; 54W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.8A
Pulsed drain current: 7.2A
Power dissipation: 54W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+63.5 грн
7+ 52.03 грн
10+ 46.48 грн
19+ 43.7 грн
50+ 41.62 грн
51+ 40.93 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRFBE20PBF IRFBE20PBF Виробник : VISHAY IRFBE20.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.8A; Idm: 7.2A; 54W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.8A
Pulsed drain current: 7.2A
Power dissipation: 54W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 69 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+64.83 грн
10+ 55.77 грн
19+ 52.44 грн
50+ 49.95 грн
51+ 49.11 грн
250+ 48.28 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFBE20PBF IRFBE20PBF Виробник : Vishay 91117.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 1.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 2444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
176+66.54 грн
182+ 64.33 грн
500+ 45.9 грн
Мінімальне замовлення: 176
IRFBE20PBF IRFBE20PBF Виробник : Vishay 91117.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 1.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+70.77 грн
10+ 61.7 грн
100+ 59.64 грн
500+ 41.04 грн
Мінімальне замовлення: 9
IRFBE20PBF IRFBE20PBF Виробник : Vishay Semiconductors 91117.pdf MOSFET 800V N-CH HEXFET
на замовлення 19625 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+89.35 грн
10+ 71.15 грн
500+ 58.2 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFBE20PBF IRFBE20PBF Виробник : VISHAY VISH-S-A0013276620-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFBE20PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.8 A, 6.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6.5ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
на замовлення 2541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+97.86 грн
10+ 76.2 грн
100+ 69.4 грн
500+ 60.63 грн
1000+ 54.88 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRFBE20PBF IRFBE20PBF Виробник : Vishay Siliconix 91117.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 1.8A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V
на замовлення 1756 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+100.13 грн
50+ 77.72 грн
100+ 63.94 грн
500+ 50.78 грн
1000+ 43.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFBE20PBF IRFBE20PBF Виробник : Vishay 91117.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 1.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товар відсутній