Продукція > VISHAY > IRFBE20PBF
IRFBE20PBF

IRFBE20PBF Vishay

91117.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 1.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 8499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
152+96.40 грн
154+95.44 грн
168+87.53 грн
500+75.92 грн
1000+62.39 грн
2000+54.02 грн
5000+53.94 грн
Мінімальне замовлення: 152 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 152 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFBE20PBF Vishay

Description: VISHAY - IRFBE20PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.8 A, 6.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 1.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 54W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6.5ohm.

Інші пропозиції IRFBE20PBF за ціною від 50.77 грн до 253.13 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRFBE20PBF IRFBE20PBF Vishay 91117.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 1.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 8499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+96.91 грн
50+95.94 грн
100+87.99 грн
500+76.32 грн
1000+62.72 грн
2000+54.30 грн
5000+54.22 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE20PBF IRFBE20PBF VISHAY IRFBE20.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.8A; Idm: 7.2A; 54W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.8A
Pulsed drain current: 7.2A
Power dissipation: 54W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
на замовлення 184 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+160.01 грн
10+104.68 грн
18+53.66 грн
50+50.77 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE20PBF IRFBE20PBF Vishay Semiconductors 91117.pdf MOSFETs TO220 800V 1.8A N-CH MOSFET
на замовлення 224 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+175.55 грн
10+135.84 грн
100+106.08 грн
500+85.77 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE20PBF IRFBE20PBF Vishay 91117.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 1.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
82+180.46 грн
122+120.30 грн
134+109.37 грн
Мінімальне замовлення: 82 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE20PBF IRFBE20PBF Vishay Siliconix 91117.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 1.8A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V
на замовлення 1305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+253.13 грн
10+158.10 грн
50+121.51 грн
100+102.95 грн
500+83.51 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE20PBF IRFBE20PBF VISHAY VISH-S-A0019267816-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFBE20PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.8 A, 6.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 54W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6.5ohm
на замовлення 951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE20PBF 91117.pdf
IRFBE20PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 1.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 8499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+96.91 грн
50+95.94 грн
100+87.99 грн
500+76.32 грн
1000+62.72 грн
2000+54.30 грн
5000+54.22 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE20PBF IRFBE20.pdf
IRFBE20PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.8A; Idm: 7.2A; 54W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.8A
Pulsed drain current: 7.2A
Power dissipation: 54W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
на замовлення 184 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+160.01 грн
10+104.68 грн
18+53.66 грн
50+50.77 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE20PBF 91117.pdf
IRFBE20PBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 800V 1.8A N-CH MOSFET
на замовлення 224 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+175.55 грн
10+135.84 грн
100+106.08 грн
500+85.77 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE20PBF 91117.pdf
IRFBE20PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 1.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
82+180.46 грн
122+120.30 грн
134+109.37 грн
Мінімальне замовлення: 82 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE20PBF 91117.pdf
IRFBE20PBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 800V 1.8A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V
на замовлення 1305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+253.13 грн
10+158.10 грн
50+121.51 грн
100+102.95 грн
500+83.51 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE20PBF VISH-S-A0019267816-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFBE20PBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFBE20PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.8 A, 6.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 54W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6.5ohm
на замовлення 951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.