на замовлення 1050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 36.28 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFBE20PBF Vishay
Description: VISHAY - IRFBE20PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.8 A, 6.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 1.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 54W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6.5ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRFBE20PBF за ціною від 40.86 грн до 123.99 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFBE20PBF | Виробник : VISHAY |
 Description: VISHAY - IRFBE20PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.8 A, 6.5 ohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 1.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 54W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6.5ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 224 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFBE20PBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO220 800V 1.8A N-CH MOSFET |
на замовлення 18939 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFBE20PBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 800V 1.8A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5Ohm @ 1.1A, 10V Power Dissipation (Max): 54W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V |
на замовлення 1454 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IRFBE20PBF | Виробник : VISHAY |
IRFBE20PBF THT N channel transistors |
на замовлення 64 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
 |
IRFBE20PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 800V 1.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товару немає в наявності |