Продукція > SILICONIX > IRFBE30

IRFBE30 Siliconix

91118.pdf Виробник: Siliconix
N-MOSFET 4.1A 800V 50W 3Ω IRFBE30 TIRFBE30
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 58 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+64.66 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFBE30 Siliconix

Description: MOSFET N-CH 800V 4.1A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRFBE30 за ціною від 34.70 грн до 272.41 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFBE30 Виробник : Vishay 91118.pdf Транзистор пол. N-MOSFET TO-220-3 800 V 4.1A
на замовлення 5 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
2+272.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30 IRFBE30
Код товару: 23059
Додати до обраних Обраний товар

Виробник : IR 91118.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 800 V
Idd,A: 4,1 A
Rds(on), Ohm: 3 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/78
Монтаж: THT
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+42.50 грн
10+34.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30 IRFBE30 Виробник : Vishay 91118.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30 IRFBE30 Виробник : Vishay Siliconix 91118.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 4.1A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30 IRFBE30 Виробник : Vishay / Siliconix 91118.pdf MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.