Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRFBE30
IRFBE30

IRFBE30

91118.pdf
Код товару: 23059
Додати до обраних Обраний товар

Виробник: IR
Корпус: TO-220
Uds,V: 800 V
Idd,A: 4,1 A
Rds(on), Ohm: 3 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/78
Монтаж: THT
товару немає в наявності
КількістьЦіна
1+42.50 грн
10+34.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFBE30 IR

  • MOSFET, N TO-220
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Cont Current Id:4.1A
  • On State Resistance:3ohm
  • Case Style:TO-220AB
  • Current Temperature:25`C
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Lead Spacing:2.54mm
  • Max Voltage Vds:800V
  • No. of Pins:3
  • No. of Transistors:1
  • Power Dissipation:125W
  • Power Dissipation Pd:125W
  • Pulse Current Idm:16A
  • Transistor Case Style:TO-220AB

Інші пропозиції IRFBE30 за ціною від 67.99 грн до 67.99 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IRFBE30 IRFBE30 Siliconix info-tirfbe30.pdf description N-MOSFET 4.1A 800V 50W 3Ω IRFBE30 TIRFBE30
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 58 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+67.99 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30 description info-tirfbe30.pdf
IRFBE30
Виробник: Siliconix
N-MOSFET 4.1A 800V 50W 3Ω IRFBE30 TIRFBE30
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 58 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+67.99 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.