Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRFBE30
IRFBE30

IRFBE30

91118.pdf
Код товару: 23059
Додати до обраних Обраний товар

Виробник: IR
Корпус: TO-220
Uds,V: 800 V
Idd,A: 4,1 A
Rds(on), Ohm: 3 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/78
Монтаж: THT
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+42.50 грн
10+34.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFBE30 IR

  • MOSFET, N TO-220
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Cont Current Id:4.1A
  • On State Resistance:3ohm
  • Case Style:TO-220AB
  • Current Temperature:25`C
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Lead Spacing:2.54mm
  • Max Voltage Vds:800V
  • No. of Pins:3
  • No. of Transistors:1
  • Power Dissipation:125W
  • Power Dissipation Pd:125W
  • Pulse Current Idm:16A
  • Transistor Case Style:TO-220AB

Інші пропозиції IRFBE30 за ціною від 66.79 грн до 66.79 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFBE30 IRFBE30 Виробник : Siliconix info-tirfbe30.pdf N-MOSFET 4.1A 800V 50W 3Ω IRFBE30 TIRFBE30
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 58 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+66.79 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30 Виробник : International Rectifier/Infineon 91118.pdf N-канальный ПТ (Vds=800V, Id=4.1A@T=25C, Id=2.6A@T=100C, Rds=3.0 R, P=125W, -55 to +150C).... Група товару: Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
кількість в упаковці: 100 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30 irfbe30.pdf (MFET,N-CH,125W,800V,4.1A,TO-220AB) Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30 IRFBE30 Виробник : Vishay Siliconix 91118.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 4.1A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30 IRFBE30 Виробник : Vishay / Siliconix 91118.pdf MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.