Продукція > VISHAY SILICONIX > IRFBE30LPBF
IRFBE30LPBF

IRFBE30LPBF Vishay Siliconix

tf-irfbe30lpbf.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 800V 4.1A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+216.73 грн
50+109.32 грн
100+106.46 грн
500+87.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFBE30LPBF Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 800V 4.1A I2PAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: I2PAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRFBE30LPBF за ціною від 83.67 грн до 236.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFBE30LPBF IRFBE30LPBF Виробник : Vishay Semiconductors tf-irfbe30lpbf.pdf MOSFETs N-Chan 800V 4.1 Amp
на замовлення 18461 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+236.32 грн
10+131.66 грн
100+104.95 грн
250+100.55 грн
500+89.54 грн
1000+84.40 грн
2000+83.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30LPBF IRFBE30LPBF Виробник : Vishay sihfbe30.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-262
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30LPBF IRFBE30LPBF Виробник : Vishay sihfbe30.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-262
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30LPBF IRFBE30LPBF Виробник : Vishay 91119.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-262
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30LPBF Виробник : VISHAY tf-irfbe30lpbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.1A; Idm: 16A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4.1A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 125W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30LPBF Виробник : VISHAY tf-irfbe30lpbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.1A; Idm: 16A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4.1A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 125W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.