IRFBE30PBF-BE3 VISHAY
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFBE30PBF-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.1 A, 3 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 150+ | 88.81 грн |
| 500+ | 70.93 грн |
| 1000+ | 60.19 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFBE30PBF-BE3 VISHAY
Description: VISHAY - IRFBE30PBF-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.1 A, 3 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm, SVHC: Lead (04-Feb-2026).
Інші пропозиції IRFBE30PBF-BE3 за ціною від 57.02 грн до 276.73 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRFBE30PBF-BE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - IRFBE30PBF-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.1 A, 3 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm SVHC: Lead (04-Feb-2026) |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFBE30PBF-BE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs TO220 800V 4.1A N-CH MOSFET |
на замовлення 1872 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFBE30PBF-BE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 800V 4.1A TO220AB Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Vgs (Max): ±20V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220AB Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube |
на замовлення 2642 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| IRFBE30PBF-BE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFBE30PBF-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.1 A, 3 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Description: VISHAY - IRFBE30PBF-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.1 A, 3 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 203.11 грн |
| 10+ | 108.54 грн |
| 100+ | 88.81 грн |
| 500+ | 70.93 грн |
| 1000+ | 60.19 грн |
| IRFBE30PBF-BE3 |
|
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO220 800V 4.1A N-CH MOSFET
MOSFETs TO220 800V 4.1A N-CH MOSFET
на замовлення 1872 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 204.75 грн |
| 10+ | 111.86 грн |
| 100+ | 80.35 грн |
| 500+ | 69.71 грн |
| 1000+ | 58.43 грн |
| 2000+ | 57.02 грн |
| IRFBE30PBF-BE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 800V 4.1A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Description: MOSFET N-CH 800V 4.1A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 2642 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 276.73 грн |
| 50+ | 135.94 грн |
| 100+ | 123.28 грн |
| 500+ | 94.87 грн |
| 1000+ | 88.18 грн |
| 2000+ | 85.10 грн |