Технічний опис IRFBE30SPBF Vishay
Description: MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRFBE30SPBF за ціною від 90.20 грн до 400.44 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFBE30SPBF | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 863 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFBE30SPBF | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.6A; Idm: 16A; 125W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 2.6A Pulsed drain current: 16A Power dissipation: 125W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3Ω Mounting: SMD Gate charge: 78nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 380 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFBE30SPBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs N-Chan 800V 4.1 Amp |
на замовлення 985 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFBE30SPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 380 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFBE30SPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 994 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFBE30SPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IRFBE30SPBF | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRFBE30SPBF - MOSFET, N D2-PAK 800V 4,1A |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
|
IRFBE30SPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
IRFBE30SPBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |