Продукція > VISHAY > IRFBE30SPBF
IRFBE30SPBF

IRFBE30SPBF Vishay

sihfbe30.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 4696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
124+103.61 грн
149+86.59 грн
151+85.30 грн
500+82.02 грн
1000+75.18 грн
2000+70.99 грн
Мінімальне замовлення: 124
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFBE30SPBF Vishay

Description: MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRFBE30SPBF за ціною від 76.24 грн до 342.54 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFBE30SPBF IRFBE30SPBF Виробник : Vishay sihfbe30.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 4700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+111.29 грн
10+93.01 грн
100+91.62 грн
500+88.09 грн
1000+80.75 грн
2000+76.24 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30SPBF IRFBE30SPBF Виробник : Vishay sihfbe30.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
59+220.81 грн
99+130.02 грн
103+125.22 грн
500+119.93 грн
Мінімальне замовлення: 59
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30SPBF IRFBE30SPBF Виробник : Vishay sihfbe30.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+236.58 грн
10+139.31 грн
100+134.17 грн
500+128.49 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30SPBF IRFBE30SPBF Виробник : Vishay Semiconductors sihfbe30.pdf MOSFETs N-Chan 800V 4.1 Amp
на замовлення 1488 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+293.72 грн
10+147.52 грн
100+116.62 грн
500+96.72 грн
1000+93.98 грн
2000+88.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30SPBF Виробник : VISHAY irfbe30s.pdf Description: VISHAY - IRFBE30SPBF - MOSFET, N D2-PAK 800V 4,1A
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+196.88 грн
10+176.87 грн
100+145.66 грн
500+114.45 грн
1000+89.18 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30SPBF Виробник : VISHAY sihfbe30.pdf IRFBE30SPBF SMD N channel transistors
на замовлення 380 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+342.54 грн
11+108.01 грн
30+102.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30SPBF IRFBE30SPBF Виробник : Vishay sihfbe30.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30SPBF IRFBE30SPBF Виробник : Vishay Siliconix sihfbe30.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.