| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 106+ | 139.05 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
106 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFBE30SPBF Vishay
Description: MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRFBE30SPBF за ціною від 79.64 грн до 313.56 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRFBE30SPBF | Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 868 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFBE30SPBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 379 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFBE30SPBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 1799 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFBE30SPBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 1804 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFBE30SPBF | VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.6A; Idm: 16A; 125W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 2.6A Pulsed drain current: 16A Power dissipation: 125W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3Ω Mounting: SMD Gate charge: 78nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 379 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFBE30SPBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V |
на замовлення 960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFBE30SPBF | Vishay Semiconductors |
MOSFETs N-Chan 800V 4.1 Amp |
на замовлення 975 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IRFBE30SPBF | VISHAY |
Description: VISHAY - IRFBE30SPBF - MOSFET, N D2-PAK 800V 4,1A |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IRFBE30SPBF |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 165.26 грн |
| 10+ | 146.74 грн |
| 100+ | 140.51 грн |
| 500+ | 134.08 грн |
| IRFBE30SPBF |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 58+ | 252.37 грн |
| 85+ | 173.25 грн |
| 100+ | 148.69 грн |
| IRFBE30SPBF |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 57+ | 260.63 грн |
| 81+ | 181.10 грн |
| 100+ | 161.67 грн |
| 500+ | 143.13 грн |
| 1000+ | 130.47 грн |
| IRFBE30SPBF |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 261.48 грн |
| 10+ | 181.69 грн |
| 100+ | 162.20 грн |
| 500+ | 143.59 грн |
| 1000+ | 130.89 грн |
| IRFBE30SPBF |
|
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.6A; Idm: 16A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.6A; Idm: 16A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 379 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 288.31 грн |
| 10+ | 145.72 грн |
| 12+ | 83.87 грн |
| 32+ | 79.64 грн |
| IRFBE30SPBF |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 303.26 грн |
| 50+ | 149.32 грн |
| 100+ | 135.50 грн |
| 500+ | 104.43 грн |
| IRFBE30SPBF |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-Chan 800V 4.1 Amp
MOSFETs N-Chan 800V 4.1 Amp
на замовлення 975 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 313.56 грн |
| 10+ | 170.08 грн |
| 100+ | 134.38 грн |
| 500+ | 110.36 грн |
| 1000+ | 109.61 грн |
| 5000+ | 106.61 грн |
| IRFBE30SPBF |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFBE30SPBF - MOSFET, N D2-PAK 800V 4,1A
Description: VISHAY - IRFBE30SPBF - MOSFET, N D2-PAK 800V 4,1A
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)