Продукція > VISHAY > IRFBE30SPBF
IRFBE30SPBF

IRFBE30SPBF Vishay

91119.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+66.11 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFBE30SPBF Vishay

Description: MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRFBE30SPBF за ціною від 87.07 грн до 238.50 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFBE30SPBF IRFBE30SPBF Виробник : Vishay sihfbe30.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 4700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+123.80 грн
134+92.55 грн
1000+91.12 грн
2000+87.07 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30SPBF IRFBE30SPBF Виробник : Vishay sihfbe30.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 4700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+133.12 грн
10+99.51 грн
1000+97.98 грн
2000+93.62 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30SPBF IRFBE30SPBF Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC436A793B60143&compId=IRFBE30.pdf?ci_sign=78dbb7c41d64f1312aacc5ad1c1e0083dec32fcc Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.6A; Idm: 16A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+198.75 грн
50+101.82 грн
100+97.05 грн
250+91.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30SPBF IRFBE30SPBF Виробник : Vishay sihfbe30.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
60+208.19 грн
104+119.32 грн
Мінімальне замовлення: 60
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30SPBF IRFBE30SPBF Виробник : Vishay sihfbe30.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+223.06 грн
10+127.84 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30SPBF IRFBE30SPBF Виробник : Vishay Semiconductors sihfbe30.pdf MOSFETs N-Chan 800V 4.1 Amp
на замовлення 1753 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+227.19 грн
10+119.44 грн
100+100.81 грн
500+98.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30SPBF IRFBE30SPBF Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC436A793B60143&compId=IRFBE30.pdf?ci_sign=78dbb7c41d64f1312aacc5ad1c1e0083dec32fcc Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.6A; Idm: 16A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 490 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+238.50 грн
50+126.89 грн
100+116.46 грн
250+109.78 грн
500+104.05 грн
1000+99.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30SPBF Виробник : VISHAY irfbe30s.pdf Description: VISHAY - IRFBE30SPBF - MOSFET, N D2-PAK 800V 4,1A
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+210.74 грн
10+189.33 грн
100+155.92 грн
500+122.51 грн
1000+95.46 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30SPBF IRFBE30SPBF Виробник : Vishay sihfbe30.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30SPBF IRFBE30SPBF Виробник : Vishay Siliconix sihfbe30.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.