Продукція > VISHAY > IRFBE30SPBF
IRFBE30SPBF

IRFBE30SPBF Vishay


91119.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 700 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+65.77 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFBE30SPBF Vishay

Description: MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRFBE30SPBF за ціною від 79.34 грн до 327.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFBE30SPBF IRFBE30SPBF Виробник : Vishay sihfbe30.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 4696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
96+127.98 грн
130+93.63 грн
134+91.32 грн
1000+87.75 грн
2000+79.34 грн
Мінімальне замовлення: 96
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30SPBF IRFBE30SPBF Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC436A793B60143&compId=IRFBE30.pdf?ci_sign=78dbb7c41d64f1312aacc5ad1c1e0083dec32fcc Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.6A; Idm: 16A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+213.94 грн
11+86.27 грн
30+81.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30SPBF IRFBE30SPBF Виробник : Vishay sihfbe30.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
55+224.36 грн
100+121.72 грн
105+116.69 грн
Мінімальне замовлення: 55
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30SPBF IRFBE30SPBF Виробник : Vishay sihfbe30.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+240.39 грн
10+130.41 грн
100+125.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30SPBF IRFBE30SPBF Виробник : Vishay Semiconductors sihfbe30.pdf MOSFETs N-Chan 800V 4.1 Amp
на замовлення 1803 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+242.89 грн
10+115.34 грн
100+98.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30SPBF IRFBE30SPBF Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC436A793B60143&compId=IRFBE30.pdf?ci_sign=78dbb7c41d64f1312aacc5ad1c1e0083dec32fcc Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.6A; Idm: 16A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+256.73 грн
11+107.51 грн
30+97.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30SPBF IRFBE30SPBF Виробник : Vishay sihfbe30.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 4700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+327.72 грн
10+157.80 грн
100+151.73 грн
1000+145.33 грн
2000+129.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30SPBF Виробник : VISHAY irfbe30s.pdf Description: VISHAY - IRFBE30SPBF - MOSFET, N D2-PAK 800V 4,1A
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+209.68 грн
10+188.37 грн
100+155.13 грн
500+121.89 грн
1000+94.98 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30SPBF IRFBE30SPBF Виробник : Vishay sihfbe30.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30SPBF IRFBE30SPBF Виробник : Vishay Siliconix sihfbe30.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.