Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFBE30SPBF Vishay
Description: MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2.5A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Packaging: Tube, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active.
Інші пропозиції IRFBE30SPBF за ціною від 103.14 грн до 299.53 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRFBE30SPBF | Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 868 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IRFBE30SPBF | VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.6A; Idm: 16A; 125W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 2.6A Pulsed drain current: 16A Power dissipation: 125W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3Ω Mounting: SMD Gate charge: 78nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 380 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IRFBE30SPBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 380 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IRFBE30SPBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 1854 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IRFBE30SPBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 1848 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IRFBE30SPBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active |
на замовлення 960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IRFBE30SPBF | Vishay Semiconductors |
MOSFETs N-Chan 800V 4.1 Amp |
на замовлення 975 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFBE30SPBF | VISHAY |
Description: VISHAY - IRFBE30SPBF - MOSFET, N D2-PAK 800V 4,1A |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IRFBE30SPBF |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 184.96 грн |
| 10+ | 153.91 грн |
| 100+ | 144.41 грн |
| 500+ | 130.64 грн |
| IRFBE30SPBF |
|
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.6A; Idm: 16A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.6A; Idm: 16A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 380 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 247.82 грн |
| 10+ | 149.78 грн |
| 50+ | 127.19 грн |
| 100+ | 119.66 грн |
| IRFBE30SPBF |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 53+ | 268.69 грн |
| 62+ | 229.18 грн |
| 100+ | 213.37 грн |
| IRFBE30SPBF |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1854 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 297.44 грн |
| 10+ | 191.94 грн |
| 100+ | 168.42 грн |
| 500+ | 143.68 грн |
| 1000+ | 117.19 грн |
| IRFBE30SPBF |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 48+ | 297.65 грн |
| 74+ | 192.07 грн |
| 100+ | 168.53 грн |
| 500+ | 143.78 грн |
| 1000+ | 117.27 грн |
| IRFBE30SPBF |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Description: MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 299.53 грн |
| 50+ | 147.49 грн |
| 100+ | 133.83 грн |
| 500+ | 103.14 грн |
| IRFBE30SPBF |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-Chan 800V 4.1 Amp
MOSFETs N-Chan 800V 4.1 Amp
на замовлення 975 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IRFBE30SPBF |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFBE30SPBF - MOSFET, N D2-PAK 800V 4,1A
Description: VISHAY - IRFBE30SPBF - MOSFET, N D2-PAK 800V 4,1A
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)