Продукція > VISHAY SILICONIX > IRFBF20LPBF
IRFBF20LPBF

IRFBF20LPBF Vishay Siliconix

sihfb20s.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 900V 1.7A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
на замовлення 999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+87.12 грн
10+78.43 грн
100+77.75 грн
500+72.74 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFBF20LPBF Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 900V 1.7A I2PAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 1A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 54W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: I2PAK, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRFBF20LPBF за ціною від 67.85 грн до 93.96 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFBF20LPBF IRFBF20LPBF Виробник : Vishay Semiconductors sihfb20s.pdf MOSFETs N-Chan 900V 1.7 Amp
на замовлення 347 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+93.96 грн
10+87.20 грн
100+75.15 грн
500+74.46 грн
1000+69.29 грн
2000+67.85 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF20LPBF IRFBF20LPBF Виробник : Vishay sihfb20s.pdf Trans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin(3+Tab) TO-262
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF20LPBF IRFBF20LPBF Виробник : Vishay sihfb20s.pdf Trans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin(3+Tab) TO-262
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF20LPBF Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A7BF025858469&compId=IRFBF20SPBF.pdf?ci_sign=a942efdaf3fa3a6517063a2200d35b25e73e0b55 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 1.1A; Idm: 6.8A; 54W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 1.1A
Pulsed drain current: 6.8A
Power dissipation: 54W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF20LPBF Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A7BF025858469&compId=IRFBF20SPBF.pdf?ci_sign=a942efdaf3fa3a6517063a2200d35b25e73e0b55 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 1.1A; Idm: 6.8A; 54W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 1.1A
Pulsed drain current: 6.8A
Power dissipation: 54W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.