на замовлення 457 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 119.37 грн |
| 10+ | 96.80 грн |
| 100+ | 82.73 грн |
| 250+ | 79.10 грн |
| 1000+ | 73.29 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFBF20LPBF Vishay Semiconductors
Description: MOSFET N-CH 900V 1.7A I2PAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 1A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 54W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: I2PAK, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRFBF20LPBF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFBF20LPBF | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin(3+Tab) TO-262 |
товару немає в наявності |
|
 |
IRFBF20LPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin(3+Tab) TO-262 |
товару немає в наявності |
|
| IRFBF20LPBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 1.1A; Idm: 6.8A; 54W; I2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 1.1A Pulsed drain current: 6.8A Power dissipation: 54W Case: I2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8Ω Mounting: THT Gate charge: 38nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||
 |
IRFBF20LPBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 900V 1.7A I2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 54W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: I2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|
| IRFBF20LPBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 1.1A; Idm: 6.8A; 54W; I2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 1.1A Pulsed drain current: 6.8A Power dissipation: 54W Case: I2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8Ω Mounting: THT Gate charge: 38nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |