Інші пропозиції IRFBF20PBF за ціною від 76.52 грн до 231.49 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFBF20PBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 900V 1.7A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 54W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V |
на замовлення 840 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFBF20PBF | Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO220 900V 1.7A N-CH MOSFET |
на замовлення 2180 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
IRFBF20PBF | VISHAY |
Description: VISHAY - IRFBF20PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 1.7 A, 8 ohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 900V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 54W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm |
на замовлення 44 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
IRFBF20PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IRFBF20PBF |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 900V 1.7A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 900V 1.7A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
на замовлення 840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 231.49 грн |
| 10+ | 145.05 грн |
| 50+ | 111.40 грн |
| 100+ | 94.36 грн |
| 500+ | 76.52 грн |
| IRFBF20PBF |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 900V 1.7A N-CH MOSFET
MOSFETs TO220 900V 1.7A N-CH MOSFET
на замовлення 2180 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IRFBF20PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFBF20PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 1.7 A, 8 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 54W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm
Description: VISHAY - IRFBF20PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 1.7 A, 8 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 54W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRFBF20PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)






