на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 78.11 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFBF20PBF Vishay
Description: VISHAY - IRFBF20PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 1.7 A, 8 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 900V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 54W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Інші пропозиції IRFBF20PBF за ціною від 66.44 грн до 179.91 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFBF20PBF | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 900V 1.7A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 54W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V |
на замовлення 734 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFBF20PBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO220 900V 1.7A N-CH MOSFET |
на замовлення 2958 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFBF20PBF | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRFBF20PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 1.7 A, 8 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 900V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 54W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 221 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFBF20PBF Код товару: 184540
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||
 |
IRFBF20PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
IRFBF20PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
IRFBF20PBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 1.1A; Idm: 6.8A; 54W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 1.1A Pulsed drain current: 6.8A Power dissipation: 54W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8Ω Mounting: THT Gate charge: 38nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
IRFBF20PBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 1.1A; Idm: 6.8A; 54W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 1.1A Pulsed drain current: 6.8A Power dissipation: 54W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8Ω Mounting: THT Gate charge: 38nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |