Технічний опис IRFBF20S IOR
Description: MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 1A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 54W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRFBF20S
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| IRFBF20S | Виробник : IR |
 07+ TO-263 |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| IRFBF20S | Виробник : IR |
TO-263 |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
IRFBF20S | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|
 |
IRFBF20S | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 54W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|
 |
IRFBF20S | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFBF20SPBF |
товару немає в наявності |