Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRFBF20SPBF
IRFBF20SPBF

IRFBF20SPBF

sihfb20s.pdf
Код товару: 51921
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRFBF20SPBF за ціною від 66.11 грн до 233.84 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRFBF20SPBF IRFBF20SPBF Vishay sihfb20s.pdf Trans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
183+77.39 грн
184+76.99 грн
186+76.22 грн
500+72.77 грн
Мінімальне замовлення: 183 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF20SPBF IRFBF20SPBF Vishay sihfb20s.pdf Trans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+77.41 грн
50+77.00 грн
100+76.24 грн
500+72.78 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF20SPBF IRFBF20SPBF VISHAY IRFBF20SPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 1.1A; Idm: 6.8A; 54W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 1.1A
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 6.8A
Power dissipation: 54W
Gate charge: 38nC
на замовлення 905 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+123.46 грн
10+80.33 грн
25+76.98 грн
50+74.47 грн
100+71.13 грн
250+68.62 грн
500+66.11 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF20SPBF IRFBF20SPBF Vishay sihfb20s.pdf Trans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
113+125.13 грн
118+119.86 грн
150+115.91 грн
250+109.23 грн
500+97.61 грн
Мінімальне замовлення: 113 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF20SPBF IRFBF20SPBF Vishay Siliconix sihfb20s.pdf Description: MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
на замовлення 139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+233.84 грн
10+146.48 грн
50+112.51 грн
100+95.33 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF20SPBF IRFBF20SPBF Vishay Semiconductors sihfb20s.pdf MOSFETs TO263 900V 1.7A N-CH MOSFET
на замовлення 756 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF20SPBF IRFBF20SPBF VISHAY VISH-S-A0010220279-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFBF20SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 1.7 A, 8 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 54W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm
на замовлення 261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF20SPBF IRFBF20SPBF Vishay sihfb20s.pdf Trans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF20SPBF International Rectifier/Infineon irfbf20.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 900, Id = 1,7, Ptot, Вт = 54, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 490 @ 25, Qg, нКл = 38, Rds = 8 мОм @ Ugs = 10 B, Tексп, °C = -55...+150,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
кількість в упаковці: 200 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
200+69.98 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF20SPBF sihfb20s.pdf
IRFBF20SPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
183+77.39 грн
184+76.99 грн
186+76.22 грн
500+72.77 грн
Мінімальне замовлення: 183 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF20SPBF sihfb20s.pdf
IRFBF20SPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+77.41 грн
50+77.00 грн
100+76.24 грн
500+72.78 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF20SPBF IRFBF20SPBF.pdf
IRFBF20SPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 1.1A; Idm: 6.8A; 54W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 1.1A
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 6.8A
Power dissipation: 54W
Gate charge: 38nC
на замовлення 905 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+123.46 грн
10+80.33 грн
25+76.98 грн
50+74.47 грн
100+71.13 грн
250+68.62 грн
500+66.11 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF20SPBF sihfb20s.pdf
IRFBF20SPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
113+125.13 грн
118+119.86 грн
150+115.91 грн
250+109.23 грн
500+97.61 грн
Мінімальне замовлення: 113 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF20SPBF sihfb20s.pdf
IRFBF20SPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
на замовлення 139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+233.84 грн
10+146.48 грн
50+112.51 грн
100+95.33 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF20SPBF sihfb20s.pdf
IRFBF20SPBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO263 900V 1.7A N-CH MOSFET
на замовлення 756 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF20SPBF VISH-S-A0010220279-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFBF20SPBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFBF20SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 1.7 A, 8 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 54W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm
на замовлення 261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF20SPBF sihfb20s.pdf
IRFBF20SPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF20SPBF irfbf20.pdf
Виробник: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ, Udss, В = 900, Id = 1,7, Ptot, Вт = 54, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 490 @ 25, Qg, нКл = 38, Rds = 8 мОм @ Ugs = 10 B, Tексп, °C = -55...+150,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
кількість в упаковці: 200 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
200+69.98 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.