Продукція > VISHAY > IRFBF20SPBF
IRFBF20SPBF

IRFBF20SPBF Vishay

sihfb20s.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+38.46 грн
Мінімальне замовлення: 9
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFBF20SPBF Vishay

Description: VISHAY - IRFBF20SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 1.7 A, 8 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 900V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 54W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm.

Інші пропозиції IRFBF20SPBF за ціною від 53.9 грн до 113.57 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRFBF20SPBF IRFBF20SPBF Виробник : VISHAY IRFBF20SPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 1.1A; Idm: 6.8A; 54W
Mounting: SMD
Case: D2PAK; TO263
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 1.1A
On-state resistance: 8Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 54W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 38nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 6.8A
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+66.42 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRFBF20SPBF IRFBF20SPBF Виробник : Vishay sihfb20s.pdf Trans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
151+81.5 грн
170+ 72.68 грн
250+ 68.29 грн
500+ 58.86 грн
Мінімальне замовлення: 151
IRFBF20SPBF IRFBF20SPBF Виробник : VISHAY IRFBF20SPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 1.1A; Idm: 6.8A; 54W
Mounting: SMD
Case: D2PAK; TO263
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 1.1A
On-state resistance: 8Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 54W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 38nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 6.8A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+82.76 грн
10+ 70.64 грн
16+ 67.02 грн
44+ 63.4 грн
250+ 61.59 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFBF20SPBF IRFBF20SPBF Виробник : Vishay sihfb20s.pdf Trans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+92.95 грн
10+ 82.34 грн
50+ 81.98 грн
100+ 70.49 грн
250+ 63.6 грн
500+ 56.83 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRFBF20SPBF IRFBF20SPBF Виробник : Vishay Semiconductors sihfb20s.pdf MOSFETs TO263 900V 1.7A N-CH MOSFET
на замовлення 1129 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+95.52 грн
10+ 82.15 грн
100+ 64.56 грн
1000+ 64.48 грн
2000+ 63.32 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFBF20SPBF IRFBF20SPBF Виробник : Vishay Siliconix sihfb20s.pdf Description: MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
на замовлення 607 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+100.32 грн
50+ 77.31 грн
100+ 63.62 грн
500+ 53.9 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFBF20SPBF IRFBF20SPBF Виробник : VISHAY VISH-S-A0010220279-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFBF20SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 1.7 A, 8 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm
на замовлення 396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+108.1 грн
10+ 87.78 грн
100+ 75.83 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRFBF20SPBF IRFBF20SPBF Виробник : Vishay sihfb20s.pdf Trans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+113.57 грн
10+ 97.39 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRFBF20SPBF IRFBF20SPBF Виробник : Vishay sihfb20s.pdf Trans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRFBF20SPBF Виробник : International Rectifier/Infineon sihfb20s.pdf N-канальний ПТ; Udss, В = 900; Id = 1,7; Ptot, Вт = 54; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 490 @ 25; Qg, нКл = 38; Rds = 8 мОм @ Ugs = 10 B; Tексп, °C = -55...+150; TO-220AB
на замовлення 10 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+73.29 грн
10+ 68.41 грн
100+ 63.52 грн
Мінімальне замовлення: 9
IRFBF20SPBF IRFBF20SPBF
Код товару: 51921 		sihfb20s.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IRFBF20SPBF IRFBF20SPBF Виробник : Vishay sihfb20s.pdf Trans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній