Продукція > VISHAY > IRFBF20STRLPBF
IRFBF20STRLPBF

IRFBF20STRLPBF Vishay

downloaded_file_131.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+59.35 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFBF20STRLPBF Vishay

Description: VISHAY - IRFBF20STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 1.7 A, 8 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 900V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.1W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції IRFBF20STRLPBF за ціною від 63.92 грн до 196.08 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFBF20STRLPBF IRFBF20STRLPBF Виробник : Vishay downloaded_file_131.pdf Trans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+63.92 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF20STRLPBF IRFBF20STRLPBF Виробник : Vishay Siliconix sihfb20s.pdf Description: MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+72.49 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF20STRLPBF IRFBF20STRLPBF Виробник : VISHAY VISH-S-A0010220279-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFBF20STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 1.7 A, 8 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+100.44 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF20STRLPBF IRFBF20STRLPBF Виробник : VISHAY VISH-S-A0010220279-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFBF20STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 1.7 A, 8 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+189.36 грн
10+139.14 грн
100+100.44 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF20STRLPBF IRFBF20STRLPBF Виробник : Vishay Siliconix sihfb20s.pdf Description: MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
на замовлення 1366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+191.33 грн
10+126.22 грн
100+90.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF20STRLPBF IRFBF20STRLPBF Виробник : Vishay Semiconductors sihfb20s.pdf MOSFETs N-Chan 900V 1.7 Amp
на замовлення 1355 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+196.08 грн
10+141.79 грн
100+89.54 грн
500+88.80 грн
800+68.11 грн
9600+66.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF20STRLPBF IRFBF20STRLPBF Виробник : Vishay 91121.pdf Trans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF20STRLPBF IRFBF20STRLPBF Виробник : Vishay downloaded_file_131.pdf Trans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF20STRLPBF Виробник : VISHAY sihfb20s.pdf IRFBF20STRLPBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.