Продукція > VISHAY > IRFBF20STRRPBF
IRFBF20STRRPBF

IRFBF20STRRPBF Vishay


downloaded_file_131.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+127.92 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFBF20STRRPBF Vishay

Description: MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 1A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 54W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRFBF20STRRPBF за ціною від 69.74 грн до 197.41 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFBF20STRRPBF IRFBF20STRRPBF Виробник : Vishay Semiconductors sihfb20s.pdf MOSFETs N-Chan 900V 1.7 Amp
на замовлення 788 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+197.41 грн
10+139.60 грн
100+91.96 грн
250+80.19 грн
500+73.42 грн
800+69.89 грн
2400+69.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF20STRRPBF IRFBF20STRRPBF Виробник : Vishay downloaded_file_131.pdf Trans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF20STRRPBF IRFBF20STRRPBF Виробник : Vishay 91121.pdf Trans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF20STRRPBF Виробник : VISHAY sihfb20s.pdf IRFBF20STRRPBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF20STRRPBF IRFBF20STRRPBF Виробник : Vishay Siliconix sihfb20s.pdf Description: MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.