IRFBF30

IRFBF30

Код товара: 18169
Производитель: IR
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 900 V
Idd,A: 3,6 A
Rds(on), Ohm: 3,7 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1200/78
Монтаж: THT

91122y65gf.pdf
В наличии/под заказ

Техническое описание IRFBF30

  • MOSFET, N TO-220
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Cont Current Id:3.6A
  • On State Resistance:3.7ohm
  • Case Style:TO-220AB
  • Current Temperature:25`C
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Lead Spacing:2.54mm
  • Max Voltage Vds:900V
  • No. of Pins:3
  • No. of Transistors:1
  • Power Dissipation:125W
  • Power Dissipation Pd:125W
  • Pulse Current Idm:14A
  • Transistor Case Style:TO-220AB

Цена IRFBF30 от 27.4 грн до 27.4 грн

IRFBF30
Производитель: SILI
N-MOSFET 3.6A 900V 125W 3.7? Trans. IRFBF30 TO220 TIRFBF30
количество в упаковке: 10 шт
91122.pdf
под заказ 50 шт
срок поставки 14-28 дня (дней)
13+ 27.4 грн
IRFBF30
IRFBF30
Производитель: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 900V 3.6A TO220AB
Package / Case: TO-220-3
Supplier Device Package: TO-220AB
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 2.2A, 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 900V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200pF @ 25V
Vgs (Max): ±20V
FET Type: N-Channel
Packaging: Tube
Part Status: Active
91122.pdf
товар отсутствует, Вы можете сделать запрос добавив товар в корзину
IRFBF30
IRFBF30
Производитель: Vishay / Siliconix
MOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFBF30PBF
91122-1768419.pdf
товар отсутствует, Вы можете сделать запрос добавив товар в корзину