IRFBF30
Код товару: 18169
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: IR
Корпус: TO-220AB
Напруга сток-витік Uds, В: 900 В
Струм стоку Idd, А: 3,6 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 3,7 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1200/78
Монтаж: THT
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFBF30 IR
- MOSFET, N TO-220
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:N
- Cont Current Id:3.6A
- On State Resistance:3.7ohm
- Case Style:TO-220AB
- Current Temperature:25`C
- Full Power Rating Temperature:25`C
- Lead Spacing:2.54mm
- Max Voltage Vds:900V
- No. of Pins:3
- No. of Transistors:1
- Power Dissipation:125W
- Power Dissipation Pd:125W
- Pulse Current Idm:14A
- Transistor Case Style:TO-220AB
Інші пропозиції IRFBF30 за ціною від 56.65 грн до 155.71 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRFBF30 | Siliconix |
N-MOSFET 3.6A 900V 125W 3.7Ω IRFBF30 TIRFBF30кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 80 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFBF30PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.3A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 2.3A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.7Ω Mounting: THT Gate charge: 78nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 280 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
| IRFBF30 |
![]() |
на замовлення 80 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 56.65 грн |
| IRFBF30PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.3A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 2.3A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.3A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 2.3A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 280 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 155.71 грн |
| 10+ | 108.03 грн |
| 25+ | 88.91 грн |
| 50+ | 86.42 грн |
| 100+ | 83.10 грн |
| 250+ | 79.77 грн |
З цим товаром купують
| BZV55-C24 Код товару: 34627
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: NXP/YJ
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: SOD-80
Напруга стабілізації Vz, В: 24 В
Струм стабілізації Izt, мА: 5 мА
Потужність Pd, Вт: 0,4 Вт
Монтаж: SMD
Температурний коефіцієнт: 19,6 мВ/K
УКТЗЕД: 8541 10 00 90
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: SOD-80
Напруга стабілізації Vz, В: 24 В
Струм стабілізації Izt, мА: 5 мА
Потужність Pd, Вт: 0,4 Вт
Монтаж: SMD
Температурний коефіцієнт: 19,6 мВ/K
УКТЗЕД: 8541 10 00 90
у наявності: 1067 шт
- 161 шт - склад
- 272 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 159 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 348 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 127 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 209 шт
- 209 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 2.00 грн |
| 19+ | 1.10 грн |
| 100+ | 0.80 грн |
| 1000+ | 0.60 грн |
| IRLR120NPBF Код товару: 32182
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D-Pak (TO-252)
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 10 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,185 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 440/20
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
Корпус: D-Pak (TO-252)
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 10 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,185 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 440/20
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
очікується: 500 шт
- 500 шт - очікується 27.08.2026
на замовлення: 1 шт
- 1 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 18.00 грн |
| 10+ | 15.90 грн |
| 100+ | 14.20 грн |
| 1N4744A Код товару: 25622
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: YJ
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: DO-41
Напруга стабілізації Vz, В: 15 В
Струм стабілізації Izt, мА: 17 мА
Потужність Pd, Вт: 1 Вт
Монтаж: THT
Температурний коефіцієнт: 0,055...0,09 %/°С
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: DO-41
Напруга стабілізації Vz, В: 15 В
Струм стабілізації Izt, мА: 17 мА
Потужність Pd, Вт: 1 Вт
Монтаж: THT
Температурний коефіцієнт: 0,055...0,09 %/°С
на замовлення: 80 шт
- 80 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 2.00 грн |
| 15+ | 1.40 грн |
| 100+ | 1.10 грн |
| 1000+ | 0.80 грн |
| TL3845P Код товару: 22072
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: TI
Мікросхеми > Джерел живлення
Корпус: DIP-8
Призначення і характеристики: ШІМ-контролер струмового режиму
Напруга вхідна, В: 0...30 В
Iвих., А: 200 мА
Частота Fosc, кГц: 500 кГц
Темп. діапазон: 0...+70°С
Мікросхеми > Джерел живлення
Корпус: DIP-8
Призначення і характеристики: ШІМ-контролер струмового режиму
Напруга вхідна, В: 0...30 В
Iвих., А: 200 мА
Частота Fosc, кГц: 500 кГц
Темп. діапазон: 0...+70°С
у наявності: 21 шт
- 4 шт - склад
- 9 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 4 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 4 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 22.00 грн |
| 10+ | 19.80 грн |
| BZV55-C13 Код товару: 4370
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: YJ
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: SOD-80
Напруга стабілізації Vz, В: 13 В
Струм стабілізації Izt, мА: 5 мА
Потужність Pd, Вт: 0,4 Вт
Монтаж: SMD
Температурний коефіцієнт: 9,4 мВ/K
УКТЗЕД: 8541 10 00 90
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: SOD-80
Напруга стабілізації Vz, В: 13 В
Струм стабілізації Izt, мА: 5 мА
Потужність Pd, Вт: 0,4 Вт
Монтаж: SMD
Температурний коефіцієнт: 9,4 мВ/K
УКТЗЕД: 8541 10 00 90
у наявності: 480 шт
- 428 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 27 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 25 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 2.00 грн |
| 19+ | 1.10 грн |
| 100+ | 0.80 грн |
| 1000+ | 0.60 грн |








