Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRFBF30PBF
IRFBF30PBF

IRFBF30PBF

irfbf30pbf-datasheet.pdf
Код товару: 85247
Виробник:
Uds,V: 900 V
Idd,A: 3,6 A
Rds(on), Ohm: 3,7 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1200/78
Монтаж: THT
у наявності 5 шт:
2 шт - РАДІОМАГ-Харків
3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+32.00 грн
10+29.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRFBF30PBF за ціною від 47.12 грн до 253.20 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFBF30PBF IRFBF30PBF Виробник : Vishay 91122.pdf Trans MOSFET N-CH 900V 3.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+47.12 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF30PBF IRFBF30PBF Виробник : Vishay 91122.pdf Trans MOSFET N-CH 900V 3.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+99.37 грн
50+99.04 грн
100+98.25 грн
500+92.35 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF30PBF IRFBF30PBF Виробник : Vishay 91122.pdf Trans MOSFET N-CH 900V 3.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
116+105.61 грн
117+104.77 грн
500+98.48 грн
Мінімальне замовлення: 116
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF30PBF IRFBF30PBF Виробник : VISHAY IRFBF30.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.3A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 2.3A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 792 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+126.27 грн
10+81.23 грн
17+55.94 грн
45+52.88 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF30PBF IRFBF30PBF Виробник : VISHAY IRFBF30.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.3A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 2.3A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 792 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+151.52 грн
10+101.23 грн
17+67.13 грн
45+63.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF30PBF IRFBF30PBF Виробник : Vishay Siliconix 91122.pdf Description: MOSFET N-CH 900V 3.6A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 622 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+214.07 грн
50+124.38 грн
100+123.33 грн
500+115.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF30PBF IRFBF30PBF Виробник : VISHAY VISH-S-A0013329350-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFBF30PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 3.6 A, 3.7 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.7ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+222.83 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF30PBF IRFBF30PBF Виробник : Vishay Semiconductors 91122.pdf MOSFETs TO220 900V 3.6A N-CH MOSFET
на замовлення 617 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+253.20 грн
10+139.60 грн
100+114.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF30PBF IRFBF30PBF Виробник : Vishay 91122.pdf Trans MOSFET N-CH 900V 3.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

50 kOhm 3296W-1-503-Bourns (потенціометр настроювальний багатооборотний 3/8 "вивідний, регулювання зверху; 9,53х10,03х4,83мм)
Код товару: 26712
Додати до обраних Обраний товар

3296.pdf
50 kOhm 3296W-1-503-Bourns (потенціометр настроювальний багатооборотний 3/8 "вивідний, регулювання зверху; 9,53х10,03х4,83мм)
+1
Підстроювальні резистори > Вивідні
Номінал: 50 kOhm
Серія: 3296W
Опис: настроювальний, вивідний, багатооборотний, регулювання зверху
Габарити: 9,53x10,03x4,83 mm
Тип монтажу: Вертикальний
Потужність: 0,5 W
Механізм роботи: Багатооборотний
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+10.00 грн
10+9.00 грн
100+8.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML5203TRPBF
Код товару: 25596
Додати до обраних Обраний товар

irlml5203pbf-datasheet.pdf
IRLML5203TRPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 30 V
Id,A: 3 А
Rds(on),Om: 0,098 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 510/9.5
Примітка : Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 6150 шт
5674 шт - склад
112 шт - РАДІОМАГ-Київ
215 шт - РАДІОМАГ-Львів
19 шт - РАДІОМАГ-Одеса
130 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 200 шт
200 шт - очікується
Кількість Ціна
3+4.50 грн
10+3.80 грн
100+3.20 грн
1000+2.90 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
4,7uF 400V EHR 10x16 (EHR4R7M2GB-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Код товару: 19765
Додати до обраних Обраний товар

EHR_081225.pdf
4,7uF 400V EHR 10x16 (EHR4R7M2GB-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 4,7 µF
Номін.напруга: 400 V
Серія: EHR
Тип: загального призначення з широким діапазоном температур 105С
Темп.діап.: -25...+105°C
Габарити: 10х16mm
Строк життя: 2000 годин
у наявності: 3887 шт
3495 шт - склад
98 шт - РАДІОМАГ-Київ
100 шт - РАДІОМАГ-Львів
100 шт - РАДІОМАГ-Одеса
94 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 100 шт
100 шт - очікується
Кількість Ціна
3+4.50 грн
10+4.00 грн
100+3.50 грн
1000+3.10 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
51 Ohm 5% 2W вив. (MOR200SJTB-51R-Hitano)
Код товару: 12346
Додати до обраних Обраний товар

MOR_080911.pdf
51 Ohm 5% 2W вив. (MOR200SJTB-51R-Hitano)
Виробник: Hitano
Вивідні резистори > 2W
Номінал: 51 Ohm
Точність і ТКО: ±5%
P ном., W: 2 W
U, роб.: 500 V
Габарити: 11x4,0 mm; Dвив. = 0,76 mm
Тип: метало-оксидні мініатюрні
у наявності: 670 шт
277 шт - РАДІОМАГ-Київ
56 шт - РАДІОМАГ-Львів
179 шт - РАДІОМАГ-Харків
52 шт - РАДІОМАГ-Одеса
106 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
4+2.50 грн
10+2.00 грн
100+1.80 грн
1000+1.40 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
10uF 63V EHR 5x11mm (EHR100M63B-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Код товару: 3048
Додати до обраних Обраний товар

EHR_081225.pdf
10uF 63V EHR 5x11mm (EHR100M63B-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 10 µF
Номін.напруга: 63 V
Серія: EHR
Тип: загального призначення з широким діапазоном температур 105С
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 5х11mm
Строк життя: 2000 годин
у наявності: 2918 шт
2149 шт - склад
144 шт - РАДІОМАГ-Київ
299 шт - РАДІОМАГ-Львів
87 шт - РАДІОМАГ-Харків
78 шт - РАДІОМАГ-Одеса
161 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
7+1.50 грн
10+1.10 грн
100+0.90 грн
1000+0.65 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.