IRFBF30PBF
у наявності 6 шт:
2 шт - РАДІОМАГ-Харків
4 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 32 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRFBF30PBF за ціною від 42.65 грн до 182.25 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRFBF30PBF | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 900V 3.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IRFBF30PBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.3A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 2.3A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.7Ω Mounting: THT Gate charge: 78nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 987 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IRFBF30PBF | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 900V 3.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IRFBF30PBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.3A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 2.3A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.7Ω Mounting: THT Gate charge: 78nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 987 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IRFBF30PBF | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 900V 3.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IRFBF30PBF | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRFBF30PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 3.6 A, 3.7 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 900V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.7ohm SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IRFBF30PBF | Виробник : Vishay Semiconductors | MOSFET 900V N-CH HEXFET |
на замовлення 869 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IRFBF30PBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 900V 3.6A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 2.2A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V |
на замовлення 778 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IRFBF30PBF | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 900V 3.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товар відсутній |
З цим товаром купують
ATtiny13A-PU Код товару: 26772 |
Виробник: Atmel
Мікросхеми > Мікроконтролери
Тип корпуса: PDIP-8
Короткий опис: 8-bit Microcontroller with 1K Bytes In-System Programmable Flash
Живлення, В: 1,8...5,5 V
Тип ядра: AVR
Розрядність: 8-Bit
Частота: 20MHz
Робоча температура, °С: -40…+85°C
Мікросхеми > Мікроконтролери
Тип корпуса: PDIP-8
Короткий опис: 8-bit Microcontroller with 1K Bytes In-System Programmable Flash
Живлення, В: 1,8...5,5 V
Тип ядра: AVR
Розрядність: 8-Bit
Частота: 20MHz
Робоча температура, °С: -40…+85°C
у наявності: 433 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 75 грн |
10+ | 67.5 грн |
100+ | 60.9 грн |
IRLML5203TRPBF Код товару: 25596 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 30 V
Id,A: 3 А
Rds(on),Om: 0,098 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 510/9.5
Примітка : Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 30 V
Id,A: 3 А
Rds(on),Om: 0,098 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 510/9.5
Примітка : Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 5912 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 4.5 грн |
10+ | 3.8 грн |
100+ | 3.2 грн |
1000+ | 2.9 грн |
4,7uF 400V EHR 10x16 (EHR4R7M2GB-Hitano) (електролітичний конденсатор) Код товару: 19765 |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 4,7 µF
Номін.напруга: 400 V
Серія: EHR
Тип: загального призначення з широким діапазоном температур 105С
Темп.діап.: -25...+105°C
Габарити: 10х16mm
Строк життя: 2000 годин
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 4,7 µF
Номін.напруга: 400 V
Серія: EHR
Тип: загального призначення з широким діапазоном температур 105С
Темп.діап.: -25...+105°C
Габарити: 10х16mm
Строк життя: 2000 годин
у наявності: 1410 шт
очікується:
3000 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 4.5 грн |
10+ | 4 грн |
100+ | 3.5 грн |
1000+ | 3.1 грн |
51 Ohm 5% 2W вив. (MOR200SJTB-51R-Hitano) Код товару: 12346 |
Виробник: Hitano
Вивідні резистори > 2W
Номінал: 51 Ohm
Точність і ТКО: ±5%
P ном., W: 2 W
U, роб.: 500 V
Габарити: 11x4,0 mm; Dвив. = 0,76 mm
Тип: метало-оксидні мініатюрні
Вивідні резистори > 2W
Номінал: 51 Ohm
Точність і ТКО: ±5%
P ном., W: 2 W
U, роб.: 500 V
Габарити: 11x4,0 mm; Dвив. = 0,76 mm
Тип: метало-оксидні мініатюрні
у наявності: 1957 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 2 грн |
10+ | 1.8 грн |
100+ | 1.6 грн |
1000+ | 1.4 грн |
10uF 63V EHR 5x11mm (EHR100M63B-Hitano) (електролітичний конденсатор) Код товару: 3048 |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 10 µF
Номін.напруга: 63 V
Серія: EHR
Тип: загального призначення з широким діапазоном температур 105С
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 5х11mm
Строк життя: 2000 годин
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 10 µF
Номін.напруга: 63 V
Серія: EHR
Тип: загального призначення з широким діапазоном температур 105С
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 5х11mm
Строк життя: 2000 годин
у наявності: 5611 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 1.5 грн |
10+ | 1.1 грн |
100+ | 0.9 грн |
1000+ | 0.65 грн |