IRFBG20PBF-BE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11Ohm @ 840mA, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
на замовлення 1770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 117.12 грн |
| 50+ | 90.51 грн |
| 100+ | 74.46 грн |
| 500+ | 59.13 грн |
| 1000+ | 50.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFBG20PBF-BE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11Ohm @ 840mA, 10V, Power Dissipation (Max): 54W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRFBG20PBF-BE3 за ціною від 51.28 грн до 117.8 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFBG20PBF-BE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFET 1000V N-CH HEXFET |
на замовлення 21826 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IRFBG20PBF-BE3 | Виробник : Vishay |
Surface Mount Fast Switching, Low Resistance Power MOSFET |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| IRFBG20PBF-BE3 | Виробник : Vishay |
Surface Mount Fast Switching, Low Resistance Power MOSFET |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| IRFBG20PBF-BE3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 1.4A; Idm: 5.6A; 54W; TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Gate charge: 38nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 5.6A Drain-source voltage: 1kV Drain current: 1.4A On-state resistance: 11Ω Type of transistor: N-MOSFET Case: TO220AB Power dissipation: 54W Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| IRFBG20PBF-BE3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 1.4A; Idm: 5.6A; 54W; TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Gate charge: 38nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 5.6A Drain-source voltage: 1kV Drain current: 1.4A On-state resistance: 11Ω Type of transistor: N-MOSFET Case: TO220AB Power dissipation: 54W Polarisation: unipolar |
товар відсутній |