IRFBG30

IRFBG30

Код товару: 18004
Виробник: IR
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 1000 V
Idd,A: 3,1 A
Rds(on), Ohm: 5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 980/80
Монтаж: THT

datasheetsd876bf87entdyueitbd87e6t78d.pdf
в наявності: 0 шт
очікується: 0 шт

Технічний опис IRFBG30

Ціна IRFBG30 від 50.67 грн до 50.67 грн

IRFBG30
Виробник: SILI
N-MOSFET 3.1A 1000V 125W 5? Trans. IRFBG30 TO220 TIRFBG30
кількість в упаковці: 10 шт
91124.pdf
на замовлення 17 шт
термін постачання 28-31 дні (днів)
11+ 50.67 грн
IRFBG30
IRFBG30
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 1.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
91124.pdf
товар відсутній, Ви можете зробити запит додавши товар у кошик
IRFBG30
IRFBG30
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFBG30PBF
irfbg30-1768526.pdf
товар відсутній, Ви можете зробити запит додавши товар у кошик
IRFBG30
IRFBG30
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
91124.pdf
товар відсутній, Ви можете зробити запит додавши товар у кошик