IRFBG30 (IR) - Транзистори - Польові N-канальні
IRFBG30
Код товару: 18004
Виробник: IRКорпус: TO-220AB
Uds,V: 1000 V
Idd,A: 3,1 A
Rds(on), Ohm: 5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 980/80
Монтаж: THT
в наявності: 0 шт
очікується: 0 шт
Технічний опис IRFBG30
Ціна IRFBG30 від 50.67 грн до 50.67 грн
|
IRFBG30 Виробник: SILI N-MOSFET 3.1A 1000V 125W 5? Trans. IRFBG30 TO220 TIRFBG30 кількість в упаковці: 10 шт
|
на замовлення 17 шт  термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|
||
 Виробник: Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO220AB Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-220AB Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 1.9A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube
|
товар відсутній, Ви можете зробити запит додавши товар у кошик |
|
|||
 Виробник: Vishay / Siliconix MOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFBG30PBF
|
товар відсутній, Ви можете зробити запит додавши товар у кошик |
|
|||
 Виробник: Vishay Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
|
товар відсутній, Ви можете зробити запит додавши товар у кошик |
|