Продукція > VISHAY > IRFBG30PBF-BE3
IRFBG30PBF-BE3

IRFBG30PBF-BE3 VISHAY

VISH-S-A0001108824-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFBG30PBF-BE3 - MOSFET, N-CH, 1KV, 3.1A, TO-220AB
tariffCode: 85412900
MSL: MSL 1 - Unlimited
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
на замовлення 1021 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+195.72 грн
10+121.36 грн
25+115.38 грн
50+104.76 грн
100+95.23 грн
500+84.24 грн
1000+79.12 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFBG30PBF-BE3 VISHAY

Description: MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 1.9A, 10V, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRFBG30PBF-BE3 за ціною від 61.48 грн до 215.10 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFBG30PBF-BE3 IRFBG30PBF-BE3 Виробник : Vishay / Siliconix irfbg30.pdf MOSFETs TO220 1KV 3.1A N-CH MOSFET
на замовлення 3443 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+207.99 грн
10+94.62 грн
100+76.95 грн
500+66.21 грн
1000+62.47 грн
2000+61.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG30PBF-BE3 IRFBG30PBF-BE3 Виробник : Vishay Siliconix irfbg30.pdf Description: MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 25 V
на замовлення 1316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+215.10 грн
50+116.23 грн
100+98.54 грн
500+80.02 грн
1000+75.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG30PBF-BE3 IRFBG30PBF-BE3 Виробник : Vishay irfbg30.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.