IRFBG30PBF

IRFBG30PBF Siliconix


irfbg30pbf-datasheet.pdf
Код товару: 29889
Виробник: Siliconix
Uds,V: 1000 V
Idd,A: 2 А
Rds(on), Ohm: 5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 980/80
у наявності 41 шт:

36 шт - склад
2 шт - РАДІОМАГ-Київ
2 шт - РАДІОМАГ-Харків
1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+46.00 грн
10+41.40 грн
100+37.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRFBG30PBF за ціною від 47.51 грн до 228.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFBG30PBF IRFBG30PBF Виробник : Vishay irfbg30.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 2917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+81.92 грн
50+81.10 грн
100+72.89 грн
500+69.58 грн
1000+56.99 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG30PBF IRFBG30PBF Виробник : Vishay irfbg30.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 2912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
138+88.83 грн
139+87.94 грн
155+79.04 грн
500+75.45 грн
1000+61.80 грн
Мінімальне замовлення: 138
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG30PBF IRFBG30PBF Виробник : Vishay irfbg30.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+109.49 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG30PBF IRFBG30PBF Виробник : Vishay irfbg30.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
104+117.91 грн
Мінімальне замовлення: 104
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG30PBF IRFBG30PBF Виробник : VISHAY IRFBG30PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+148.55 грн
18+50.58 грн
49+47.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG30PBF IRFBG30PBF Виробник : VISHAY IRFBG30PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 999 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+178.26 грн
18+63.03 грн
49+57.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG30PBF IRFBG30PBF Виробник : Vishay Siliconix irfbg30.pdf Description: MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 25 V
на замовлення 2730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+194.18 грн
50+109.95 грн
100+107.43 грн
500+88.99 грн
1000+77.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG30PBF IRFBG30PBF Виробник : VISHAY VISH-S-A0013856971-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFBG30PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 3.1 A, 5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 1422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+207.97 грн
10+178.26 грн
100+119.67 грн
500+98.86 грн
1000+73.57 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG30PBF IRFBG30PBF Виробник : Vishay Semiconductors irfbg30.pdf MOSFETs TO220 1KV 3.1A N-CH MOSFET
на замовлення 4545 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+228.31 грн
10+126.91 грн
100+102.26 грн
250+99.32 грн
500+87.55 грн
1000+81.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG30PBF irfbg30.pdf IRFBG30PBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 10 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG30PBF IRFBG30PBF Виробник : Vishay irfbg30.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG30PBF IRFBG30PBF Виробник : Vishay irfbg30.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

UC3845BN
Код товару: 4328
Додати до обраних Обраний товар

CD00000966-105506.pdf
UC3845BN
Виробник: ST
Мікросхеми > Джерел живлення
Корпус: DIP-8
Призначення і характеристики: PWM Controllers
Напруга вхідна, V: 8,2...30 V
Iвых., A: 1 А
Fosc, kHz: 500 kHz
Темп.діапазон: -40...+150°C
у наявності: 138 шт
66 шт - склад
13 шт - РАДІОМАГ-Київ
28 шт - РАДІОМАГ-Львів
1 шт - РАДІОМАГ-Харків
30 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+20.00 грн
10+18.00 грн
100+16.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
22uF 50V EHR 5x11mm (EHR220M50B-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Код товару: 3036
Додати до обраних Обраний товар

EHR_081225.pdf
22uF 50V EHR 5x11mm (EHR220M50B-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 22 µF
Номін.напруга: 50 V
Серія: EHR
Тип: загального призначення з широким діапазоном температур 105С
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 5х11mm
Строк життя: 2000 годин
у наявності: 6971 шт
6540 шт - склад
148 шт - РАДІОМАГ-Київ
15 шт - РАДІОМАГ-Львів
80 шт - РАДІОМАГ-Харків
80 шт - РАДІОМАГ-Одеса
108 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
5+2.00 грн
10+1.50 грн
100+1.10 грн
1000+0.80 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
470uF 10V EXR 8x12mm (low imp.) (EXR471M10B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
Код товару: 4334
Додати до обраних Обраний товар

EXR_080421.pdf
470uF 10V EXR 8x12mm (low imp.) (EXR471M10B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 470 µF
Номін.напруга: 10 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 8х12mm
Строк життя: 3000 годин
у наявності: 330 шт
75 шт - РАДІОМАГ-Київ
231 шт - РАДІОМАГ-Львів
13 шт - РАДІОМАГ-Харків
11 шт - РАДІОМАГ-Одеса
очікується: 10000 шт
10000 шт - очікується 15.07.2025
Кількість Ціна
4+3.00 грн
10+2.60 грн
100+2.20 грн
1000+1.90 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BTA41-800B
Код товару: 25107
Додати до обраних Обраний товар

description BTA40 and BTA BTB41 series.pdf
BTA41-800B
Виробник: ST
Тиристори > Тріаки (сімістори)
Корпус: TOP-3
Umax,V: 800 V
Iвідкр.,mA: 50 mA
Imax,A: 40 A
у наявності: 255 шт
210 шт - склад
17 шт - РАДІОМАГ-Львів
28 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+122.00 грн
10+108.90 грн
100+97.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
US1M
Код товару: 30533
Додати до обраних Обраний товар

US1A-M.pdf
US1M
Виробник: Yangjie
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: SMA/DO-214AC
Vrr, V: 1000 V
Iav, A: 1 A
Час зворотнього відновлення Trr, ns: 75 ns
STTH108A, STTH110A, BYG23M, MURA105T3G, MURA110T3G, MURA120T3G, MURA140T3G, MURA160T3G
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+10.00 грн
10+1.80 грн
100+1.50 грн
1000+1.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.