IRFBG30PBF Siliconix
Код товару: 29889
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: Siliconix
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 1000 V
Idd,A: 2 А
Rds(on), Ohm: 5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 980/80
Монтаж: THT
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRFBG30PBF за ціною від 62.91 грн до 317.82 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFBG30PBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 2A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5Ω Mounting: THT Gate charge: 80nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 1026 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRFBG30PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 1026 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRFBG30PBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO220 1KV 3.1A N-CH MOSFET |
на замовлення 7536 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRFBG30PBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 1.9A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 25 V |
на замовлення 3743 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRFBG30PBF | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRFBG30PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 3.1 A, 5 ohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 1kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm SVHC: Lead (04-Feb-2026) |
на замовлення 621 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| IRFBG30PBF |
IRFBG30PBF Транзисторы HEXFET |
на замовлення 10 шт: термін постачання 4 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||
|
IRFBG30PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
| IRFBG30PBF | Виробник : Vishay/IR |
N-канальний ПТ, Udss, В = 1 000, Id = 3,1 А, Ptot, Вт = 125, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 980 @ 25, Qg, нКл = 80 @ 10 В, Rds = 5 Ом @ 1,9 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: TO-220AB кількість в упаковці: 50 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||||
| IRFBG30PBF | Виробник : Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO-220AB Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
З цим товаром купують
| UC3845BN Код товару: 4328
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: ST
Мікросхеми > Джерел живлення
Корпус: DIP-8
Призначення і характеристики: PWM Controllers
Напруга вхідна, V: 8,2...30 V
Iвых., A: 1 А
Fosc, kHz: 500 kHz
Темп.діапазон: -40...+150°C
Мікросхеми > Джерел живлення
Корпус: DIP-8
Призначення і характеристики: PWM Controllers
Напруга вхідна, V: 8,2...30 V
Iвых., A: 1 А
Fosc, kHz: 500 kHz
Темп.діапазон: -40...+150°C
у наявності: 512 шт
457 шт - склад
45 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Львів
45 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Львів
очікується:
30 шт
30 шт - очікується
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 20.00 грн |
| 10+ | 18.00 грн |
| 100+ | 16.20 грн |
| UC3842BD1013TR Код товару: 40721
4
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: ST
Мікросхеми > Джерел живлення
Корпус: SO-8
Призначення і характеристики: PWM Controllers
Напруга вхідна, V: 30 V
Iвых., A: 1 kA
Fosc, kHz: 500 kHz
Темп.діапазон: -40…+150°C
Мікросхеми > Джерел живлення
Корпус: SO-8
Призначення і характеристики: PWM Controllers
Напруга вхідна, V: 30 V
Iвых., A: 1 kA
Fosc, kHz: 500 kHz
Темп.діапазон: -40…+150°C
у наявності: 409 шт
343 шт - склад
57 шт - РАДІОМАГ-Київ
9 шт - РАДІОМАГ-Львів
57 шт - РАДІОМАГ-Київ
9 шт - РАДІОМАГ-Львів
очікується:
20 шт
20 шт - очікується
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 14.00 грн |
| 10+ | 12.50 грн |
| 100+ | 11.20 грн |
| 22uF 50V EHR 5x11mm (EHR220M50B-Hitano) (електролітичний конденсатор) Код товару: 3036
3
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 22 µF
Номін.напруга: 50 V
Серія: EHR
Тип: загального призначення з широким діапазоном температур 105С
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 5х11mm
Строк життя: 2000 годин
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 22 µF
Номін.напруга: 50 V
Серія: EHR
Тип: загального призначення з широким діапазоном температур 105С
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 5х11mm
Строк життя: 2000 годин
у наявності: 10435 шт
10236 шт - склад
110 шт - РАДІОМАГ-Київ
18 шт - РАДІОМАГ-Львів
6 шт - РАДІОМАГ-Харків
65 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
110 шт - РАДІОМАГ-Київ
18 шт - РАДІОМАГ-Львів
6 шт - РАДІОМАГ-Харків
65 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 2.00 грн |
| 14+ | 1.50 грн |
| 100+ | 1.10 грн |
| 1000+ | 0.80 грн |
| MUR4100ERLG Код товару: 2526
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: ON
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: DO-201
Vrr, V: 1000 V
Iav, A: 4 A
Час зворотнього відновлення Trr, ns: 75 ns
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: DO-201
Vrr, V: 1000 V
Iav, A: 4 A
Час зворотнього відновлення Trr, ns: 75 ns
у наявності: 89 шт
88 шт - РАДІОМАГ-Київ
1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 22.00 грн |
| 10+ | 19.50 грн |
| IRFBG20 Код товару: 18614
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 1000 V
Idd,A: 1,4 A
Ciss, pF/Qg, nC: 500/38
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 1000 V
Idd,A: 1,4 A
Ciss, pF/Qg, nC: 500/38
Монтаж: THT
у наявності: 16 шт
6 шт - склад
10 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
10 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 35.00 грн |
| 10+ | 31.50 грн |
| 100+ | 27.80 грн |










