Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRFBG30PBF Siliconix
IRFBG30PBF

IRFBG30PBF Siliconix

irfbg30pbf-datasheet.pdf
Код товару: 29889
Додати до обраних Обраний товар

Виробник: Siliconix
Корпус: TO-220AB
Напруга сток-витік Uds, В: 1000 В
Струм стоку Idd, А: 2 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 5 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 980/80
Монтаж: THT
у наявності: 16 шт
  • 11 шт - склад
  • 5 шт - РАДІОМАГ-Київ
КількістьЦіна без ПДВ
1+64.00 грн
10+59.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRFBG30PBF за ціною від 74.45 грн до 260.56 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRFBG30PBF IRFBG30PBF VISHAY IRFBG30PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
на замовлення 705 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+179.96 грн
10+110.85 грн
50+94.31 грн
100+86.86 грн
250+78.59 грн
500+74.45 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG30PBF IRFBG30PBF Vishay irfbg30.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
71+201.52 грн
82+172.54 грн
100+158.05 грн
250+138.44 грн
500+121.13 грн
Мінімальне замовлення: 71 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG30PBF IRFBG30PBF Vishay Siliconix irfbg30.pdf Description: MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 25 V
на замовлення 3508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+260.56 грн
50+126.92 грн
100+114.84 грн
500+87.91 грн
1000+81.52 грн
2000+76.16 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG30PBF IRFBG30PBF VISHAY VISH-S-A0019271718-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFBG30PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 3.1 A, 5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
на замовлення 426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG30PBF IRFBG30PBF Vishay irfbg30.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG30PBF IRFBG30PBF Vishay Semiconductors irfbg30.pdf MOSFETs TO220 1KV 3.1A N-CH MOSFET
на замовлення 6283 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG30PBF irfbg30.pdf IRFBG30PBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 10 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG30PBF IRFBG30PBF.pdf
IRFBG30PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
на замовлення 705 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+179.96 грн
10+110.85 грн
50+94.31 грн
100+86.86 грн
250+78.59 грн
500+74.45 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG30PBF irfbg30.pdf
IRFBG30PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
71+201.52 грн
82+172.54 грн
100+158.05 грн
250+138.44 грн
500+121.13 грн
Мінімальне замовлення: 71 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG30PBF irfbg30.pdf
IRFBG30PBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 25 V
на замовлення 3508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+260.56 грн
50+126.92 грн
100+114.84 грн
500+87.91 грн
1000+81.52 грн
2000+76.16 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG30PBF VISH-S-A0019271718-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFBG30PBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFBG30PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 3.1 A, 5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
на замовлення 426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG30PBF irfbg30.pdf
IRFBG30PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG30PBF irfbg30.pdf
IRFBG30PBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 1KV 3.1A N-CH MOSFET
на замовлення 6283 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG30PBF irfbg30.pdf
IRFBG30PBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 10 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

UC3845BN
Код товару: 4328
2 Додати до обраних Обраний товар
CD00000966-105506.pdf
UC3845BN
Виробник: ST
Мікросхеми > Джерел живлення
Корпус: DIP-8
Призначення і характеристики: ШІМ-контролери
Напруга вхідна, В: 8,2...30 В
Iвих., А: 1 А
Частота Fosc, кГц: 500 кГц
Темп. діапазон: -40...+150°С
у наявності: 347 шт
  • 286 шт - склад
  • 17 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 24 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
1+20.00 грн
10+18.00 грн
100+16.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UC3842BD1013TR
Код товару: 40721
4 Додати до обраних Обраний товар
CD00000966-105506 (1).pdf
UC3842BD1013TR
Виробник: ST
Мікросхеми > Джерел живлення
Корпус: SO-8
Призначення і характеристики: ШІМ-контролери
Напруга вхідна, В: 30 В
Iвих., А: 1 кА
Частота Fosc, кГц: 500 кГц
Темп. діапазон: -40…+150°С
у наявності: 419 шт
  • 319 шт - склад
  • 51 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 9 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 20 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 20 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
2+14.00 грн
10+12.50 грн
100+11.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
22uF 50V EHR 5x11mm (EHR220M50B-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Код товару: 3036
4 Додати до обраних Обраний товар
EHR_081225.pdf
22uF 50V EHR 5x11mm (EHR220M50B-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 22 мкФ
Номін. напруга: 50 В
Серія: EHR
Тип: загального призначення з широким діапазоном температур 105°C
Темп. діапазон: -40...+105°С
Габарити: 5x11 мм
Строк служби: 2000 годин
УКТЗЕД: 8532 22 00 00
у наявності: 10206 шт
  • 10086 шт - склад
  • 81 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 18 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 6 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 15 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
10+2.00 грн
14+1.50 грн
100+1.10 грн
1000+0.80 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUR4100ERLG
Код товару: 2526
Додати до обраних Обраний товар
mur480e-d.pdf
MUR4100ERLG
Виробник: ON
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: DO-201
Зворотна напруга Vrr, В: 1000 В
Середній струм Iav, А: 4 А
Час зворотного відновлення Trr, ns: 75 ns
Монтаж: THT
у наявності: 54 шт
  • 53 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
1+22.00 грн
10+19.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG20
Код товару: 18614
Додати до обраних Обраний товар
description sihbg20de3f3.pdf
IRFBG20
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 1000 В
Струм стоку Idd, А: 1,4 А
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 500/38
Монтаж: THT
у наявності: 16 шт
  • 6 шт - склад
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
1+35.00 грн
10+31.50 грн
100+27.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.