Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRFBG30PBF Siliconix
IRFBG30PBF

IRFBG30PBF Siliconix

irfbg30pbf-datasheet.pdf
Код товару: 29889
Виробник: Siliconix
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 1000 V
Idd,A: 2 А
Rds(on), Ohm: 5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 980/80
Монтаж: THT
у наявності 19 шт:
7 шт - РАДІОМАГ-Київ
2 шт - РАДІОМАГ-Харків
10 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+46.00 грн
10+41.40 грн
100+37.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRFBG30PBF за ціною від 77.13 грн до 173.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFBG30PBF IRFBG30PBF Виробник : Vishay irfbg30.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
127+97.64 грн
147+84.74 грн
Мінімальне замовлення: 127
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG30PBF IRFBG30PBF Виробник : Vishay irfbg30.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+104.62 грн
10+90.80 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG30PBF IRFBG30PBF Виробник : Vishay Semiconductors irfbg30.pdf MOSFETs TO220 1KV 3.1A N-CH MOSFET
на замовлення 139 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+142.55 грн
10+101.87 грн
1000+82.48 грн
2000+77.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG30PBF IRFBG30PBF Виробник : VISHAY VISH-S-A0019271718-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFBG30PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 3.1 A, 5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 771 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+173.05 грн
10+152.49 грн
100+120.79 грн
500+97.05 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG30PBF irfbg30.pdf IRFBG30PBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 10 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG30PBF IRFBG30PBF Виробник : Vishay irfbg30.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG30PBF IRFBG30PBF Виробник : Vishay irfbg30.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG30PBF IRFBG30PBF Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58C878E5B51486469&compId=IRFBG30PBF.pdf?ci_sign=017abf2218462da0348e8b41e813a76db1b5a06e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG30PBF IRFBG30PBF Виробник : Vishay Siliconix irfbg30.pdf Description: MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG30PBF IRFBG30PBF Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58C878E5B51486469&compId=IRFBG30PBF.pdf?ci_sign=017abf2218462da0348e8b41e813a76db1b5a06e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

UC3845BN
Код товару: 4328
Додати до обраних Обраний товар

CD00000966-105506.pdf
UC3845BN
Виробник: ST
Мікросхеми > Джерел живлення
Корпус: DIP-8
Призначення і характеристики: PWM Controllers
Напруга вхідна, V: 8,2...30 V
Iвых., A: 1 А
Fosc, kHz: 500 kHz
Темп.діапазон: -40...+150°C
у наявності: 793 шт
705 шт - склад
42 шт - РАДІОМАГ-Київ
5 шт - РАДІОМАГ-Львів
1 шт - РАДІОМАГ-Харків
40 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+20.00 грн
10+18.00 грн
100+16.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
22uF 50V EHR 5x11mm (EHR220M50B-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Код товару: 3036
Додати до обраних Обраний товар

EHR_081225.pdf
22uF 50V EHR 5x11mm (EHR220M50B-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 22 µF
Номін.напруга: 50 V
Серія: EHR
Тип: загального призначення з широким діапазоном температур 105С
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 5х11mm
Строк життя: 2000 годин
у наявності: 3956 шт
3780 шт - склад
77 шт - РАДІОМАГ-Київ
11 шт - РАДІОМАГ-Львів
51 шт - РАДІОМАГ-Харків
30 шт - РАДІОМАГ-Одеса
7 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 10000 шт
10000 шт - очікується
Кількість Ціна
10+2.00 грн
14+1.50 грн
100+1.10 грн
1000+0.80 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
470uF 10V EXR 8x12mm (low imp.) (EXR471M10B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
Код товару: 4334
Додати до обраних Обраний товар

EXR_080421.pdf
470uF 10V EXR 8x12mm (low imp.) (EXR471M10B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 470 µF
Номін.напруга: 10 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 8х12mm
Строк життя: 3000 годин
у наявності: 7491 шт
7018 шт - склад
129 шт - РАДІОМАГ-Київ
195 шт - РАДІОМАГ-Львів
77 шт - РАДІОМАГ-Харків
72 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
7+3.00 грн
10+2.60 грн
100+2.20 грн
1000+1.90 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BTA41-800B
Код товару: 25107
Додати до обраних Обраний товар

description BTA40 and BTA BTB41 series.pdf
BTA41-800B
Виробник: ST
Тиристори > Тріаки (сімістори)
Корпус: TOP-3
Umax,V: 800 V
Iвідкр.,mA: 50 mA
Imax,A: 40 A
у наявності: 283 шт
257 шт - склад
14 шт - РАДІОМАГ-Київ
7 шт - РАДІОМАГ-Львів
5 шт - РАДІОМАГ-Харків
очікується: 20 шт
20 шт - очікується
Кількість Ціна
1+122.00 грн
10+108.90 грн
100+97.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
US1M
Код товару: 30533
Додати до обраних Обраний товар

US1A-M.pdf
US1M
Виробник: Yangjie
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: SMA/DO-214AC
Vrr, V: 1000 V
Iav, A: 1 A
Час зворотнього відновлення Trr, ns: 75 ns
STTH108A, STTH110A, BYG23M, MURA105T3G, MURA110T3G, MURA120T3G, MURA140T3G, MURA160T3G
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+20.00 грн
10+2.00 грн
100+1.50 грн
1000+1.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.