Продукція > VISHAY > IRFD020PBF
IRFD020PBF

IRFD020PBF Vishay


sihfd020.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 50V 2.4A 4-Pin HVMDIP T/R
на замовлення 106 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+53.30 грн
53+11.45 грн
54+11.27 грн
55+10.70 грн
56+9.74 грн
100+9.20 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFD020PBF Vishay

Description: VISHAY - IRFD020PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 2.4 A, 0.1 ohm, DIP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 50V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: DIP, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).

Інші пропозиції IRFD020PBF за ціною від 42.20 грн до 171.48 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFD020PBF IRFD020PBF Виробник : Vishay / Siliconix sihfd020.pdf MOSFET 60V N-CH HEXFET MOSFET HEXDI
на замовлення 3767 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+85.62 грн
10+70.22 грн
100+48.88 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD020PBF IRFD020PBF Виробник : VISHAY VISH-S-A0013329340-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFD020PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 2.4 A, 0.1 ohm, DIP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: DIP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 568 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+122.67 грн
10+88.92 грн
100+72.53 грн
500+53.21 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD020PBF IRFD020PBF Виробник : Vishay Siliconix sihfd020.pdf Description: MOSFET N-CH 50V 2.4A 4DIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
на замовлення 5210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+171.48 грн
10+105.65 грн
100+71.98 грн
500+54.00 грн
1000+49.65 грн
2500+44.94 грн
5000+42.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD020PBF Виробник : IR sihfd020.pdf 09+
на замовлення 4948 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD020PBF IRFD020PBF Виробник : Vishay sihfd020.pdf Trans MOSFET N-CH 50V 2.4A 4-Pin HVMDIP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD020PBF Виробник : VISHAY sihfd020.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 2.4A; Idm: 19A; 1W; HVMDIP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 2.4A
Pulsed drain current: 19A
Power dissipation: 1W
Case: HVMDIP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD020PBF Виробник : VISHAY sihfd020.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 2.4A; Idm: 19A; 1W; HVMDIP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 2.4A
Pulsed drain current: 19A
Power dissipation: 1W
Case: HVMDIP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.