IRFD020PBF VISHAY
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFD020PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 2.4 A, 0.1 ohm, DIP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: DIP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFD020PBF VISHAY
Description: VISHAY - IRFD020PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 2.4 A, 0.1 ohm, DIP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 50V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: DIP, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Інші пропозиції IRFD020PBF за ціною від 41.76 грн до 169.68 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFD020PBF | Vishay / Siliconix |
MOSFET 60V N-CH HEXFET MOSFET HEXDI |
на замовлення 3767 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFD020PBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 50V 2.4A 4DIPInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: 4-HVMDIP Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.4A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm) Packaging: Bulk Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole |
на замовлення 5210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IRFD020PBF | IR |
09+ |
на замовлення 4948 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IRFD020PBF |
![]() |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 60V N-CH HEXFET MOSFET HEXDI
MOSFET 60V N-CH HEXFET MOSFET HEXDI
на замовлення 3767 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 81.47 грн |
| 10+ | 66.81 грн |
| 100+ | 46.51 грн |
| IRFD020PBF |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 50V 2.4A 4DIP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Packaging: Bulk
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Description: MOSFET N-CH 50V 2.4A 4DIP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Packaging: Bulk
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
на замовлення 5210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 169.68 грн |
| 10+ | 104.54 грн |
| 100+ | 71.22 грн |
| 500+ | 53.44 грн |
| 1000+ | 49.13 грн |
| 2500+ | 44.46 грн |
| 5000+ | 41.76 грн |
| IRFD020PBF |
![]() |
Виробник: IR
09+
09+
на замовлення 4948 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)




