на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 53.43 грн |
| 53+ | 11.48 грн |
| 54+ | 11.30 грн |
| 55+ | 10.72 грн |
| 56+ | 9.76 грн |
| 100+ | 9.22 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFD020PBF Vishay
Description: VISHAY - IRFD020PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 2.4 A, 0.1 ohm, DIP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 50V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: DIP, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Інші пропозиції IRFD020PBF за ціною від 42.30 грн до 171.89 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFD020PBF | Виробник : Vishay / Siliconix |
 MOSFET 60V N-CH HEXFET MOSFET HEXDI |
на замовлення 3767 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFD020PBF | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRFD020PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 2.4 A, 0.1 ohm, DIP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: DIP Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 568 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFD020PBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 50V 2.4A 4DIP Packaging: Bulk Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.4A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 4-HVMDIP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V |
на замовлення 5210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IRFD020PBF | Виробник : IR |
09+ |
на замовлення 4948 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
 |
IRFD020PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 50V 2.4A 4-Pin HVMDIP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| IRFD020PBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 2.4A; Idm: 19A; 1W; HVMDIP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 2.4A Pulsed drain current: 19A Power dissipation: 1W Case: HVMDIP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: THT Gate charge: 24nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| IRFD020PBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 2.4A; Idm: 19A; 1W; HVMDIP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 2.4A Pulsed drain current: 19A Power dissipation: 1W Case: HVMDIP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: THT Gate charge: 24nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |