IRFD024PBF
Код товару: 31843
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: IR
Корпус: HVM DIP-4
Uds,V: 60 V
Idd,A: 2,4 A
Rds(on), Ohm: 0,1 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 640/25
Монтаж: THT
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRFD024PBF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| IRFD024PBF |
MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-DIP Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
IRFD024PBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 2.5A 4DIPInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 4-HVMDIP Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm) Packaging: Bulk |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
IRFD024PBF | Vishay / Siliconix |
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFD |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| IRFD024PBF |
![]() |
MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-DIP Транзистори
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRFD024PBF |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 2.5A 4DIP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Packaging: Bulk
Description: MOSFET N-CH 60V 2.5A 4DIP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRFD024PBF |
![]() |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFD
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFD
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
З цим товаром купують
| LM2901N Код товару: 1277
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: TI
Мікросхеми > Компaратори
Корпус: DIP-14
Функц.опис: Кількість каналів: 4; Uпіт, В: ±18; tз, нс: 300; Тип виходу: OK; Uсм, мВ: 7; Iпотр, мА: 2;
Udss,V: ±18 V
Id,A: 0.006 A
Темп.діапазон: -40...+125°C
Мікросхеми > Компaратори
Корпус: DIP-14
Функц.опис: Кількість каналів: 4; Uпіт, В: ±18; tз, нс: 300; Тип виходу: OK; Uсм, мВ: 7; Iпотр, мА: 2;
Udss,V: ±18 V
Id,A: 0.006 A
Темп.діапазон: -40...+125°C
у наявності: 194 шт
- 190 шт - склад
- 2 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 2 шт - РАДІОМАГ-Харків
очікується: 10 шт
- 10 шт - очікується
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 10.00 грн |
| 10+ | 9.00 грн |
| 100+ | 8.00 грн |
| 39 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-39K-Hitano) (резистор SMD) Код товару: 1607
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0805
Номінал: 39 kOhm
Точність: ±5% J
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
SMD резистори > 0805
Номінал: 39 kOhm
Точність: ±5% J
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
у наявності: 19500 шт
- 19500 шт - склад
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 200+ | 0.12 грн |
| 1000+ | 0.09 грн |
| 10000+ | 0.07 грн |
| 12 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-12K-Hitano) (резистор SMD) Код товару: 1402
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0805
Номінал: 12 kOhm
Точність: ±5% J
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
SMD резистори > 0805
Номінал: 12 kOhm
Точність: ±5% J
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
у наявності: 8896 шт
- 176 шт - склад
- 4520 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 4200 шт - РАДІОМАГ-Львів
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 200+ | 0.12 грн |
| 1000+ | 0.09 грн |
| 10000+ | 0.07 грн |
| 100 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-100KR) (резистор SMD) Код товару: 1215
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0805
Номінал: 100 kOhm
Точність: ±5% J
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
SMD резистори > 0805
Номінал: 100 kOhm
Точність: ±5% J
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
у наявності: 32110 шт
- 22510 шт - склад
- 4700 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 4900 шт - РАДІОМАГ-Львів
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 200+ | 0.12 грн |
| 1000+ | 0.09 грн |
| 10000+ | 0.07 грн |
| BC639 (транзистор біполярний NPN) Код товару: 1158
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Fairchild
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-92
fT: 100 MHz
Uceo,V: 80 V
Ucbo,V: 100 V
Ic,A: 1 А
h21: 250
Монтаж: THT
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-92
fT: 100 MHz
Uceo,V: 80 V
Ucbo,V: 100 V
Ic,A: 1 А
h21: 250
Монтаж: THT
у наявності: 1255 шт
- 1177 шт - склад
- 76 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 3.00 грн |
| 10+ | 2.60 грн |
| 100+ | 2.20 грн |
| 1000+ | 1.90 грн |







