Продукція > VISHAY > IRFD024PBF
IRFD024PBF

IRFD024PBF Vishay

sihfd024.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
251+49.48 грн
Мінімальне замовлення: 251
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFD024PBF Vishay

Description: MOSFET N-CH 60V 2.5A 4DIP, Packaging: Bulk, Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm), Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 4-HVMDIP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRFD024PBF за ціною від 24.90 грн до 167.83 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFD024PBF IRFD024PBF Виробник : VISHAY VISH-S-A0013329295-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFD024PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.5 A, 0.1 ohm, DIP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: DIP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
на замовлення 1863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+147.35 грн
10+99.08 грн
100+79.09 грн
500+63.30 грн
1000+49.79 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD024PBF IRFD024PBF Виробник : Vishay sihfd024.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+167.83 грн
10+106.29 грн
100+92.19 грн
250+84.65 грн
500+69.93 грн
1000+59.04 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD024PBF IRFD024PBF Виробник : Vishay sihfd024.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 1101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD024PBF IRFD024PBF
Код товару: 31843
Додати до обраних Обраний товар

Виробник : Siliconix sihfd024.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: HVM DIP-4
Uds,V: 60 V
Idd,A: 2,4 A
Rds(on), Ohm: 0,1 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 640/25
Монтаж: THT
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+32.00 грн
10+28.50 грн
100+24.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD024PBF IRFD024PBF Виробник : Vishay sihfd024.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-Pin HVMDIP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD024PBF IRFD024PBF Виробник : Vishay Siliconix sihfd024.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 2.5A 4DIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD024PBF IRFD024PBF Виробник : Vishay / Siliconix sihfd024.pdf MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.