IRFD123PBF Vishay
Код товару: 26821
Виробник: VishayUds,V: 60 V
Idd,A: 1,1 A
Rds(on), Ohm: 0,4 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 450/11
Монтаж: THT
у наявності 26 шт:
26 шт - РАДІОМАГ-Одеса
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 22 грн |
| 10+ | 19.8 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRFD123PBF за ціною від 31.57 грн до 106.83 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFD123PBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET 100V N-CH HEXFET HEXDI |
на замовлення 5369 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFD123PBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIP Packaging: Bulk Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 780mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 4-HVMDIP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V |
на замовлення 6628 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFD123PBF | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRFD123PBF - N CHANNEL MOSFET, 100V, 1.3A tariffCode: 85412900 Transistormontage: Through Hole Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - Unlimited usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.3W Bauform - Transistor: HVMDIP Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: N Channel Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm directShipCharge: 25 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 114 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFD123PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 1.3A 4-Pin HVMDIP |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
IRFD123PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-Pin HVMDIP |
товар відсутній |
|||||||||||||||
| IRFD123PBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.3A; Idm: 10A; 1.3W; HVMDIP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 1.3A Pulsed drain current: 10A Power dissipation: 1.3W Case: HVMDIP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.27Ω Mounting: THT Gate charge: 16nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
| IRFD123PBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.3A; Idm: 10A; 1.3W; HVMDIP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 1.3A Pulsed drain current: 10A Power dissipation: 1.3W Case: HVMDIP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.27Ω Mounting: THT Gate charge: 16nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |