Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRFD123PBF Vishay
IRFD123PBF

IRFD123PBF Vishay

sihfd123.pdf
Код товару: 26821
Додати до обраних Обраний товар

Виробник: Vishay
Корпус: HD-1
Напруга сток-витік Uds, В: 60 В
Струм стоку Idd, А: 1,1 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,4 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 450/11
Монтаж: THT
у наявності: 20 шт
  • 20 шт - РАДІОМАГ-Київ
КількістьЦіна без ПДВ
1+22.00 грн
10+19.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRFD123PBF за ціною від 36.41 грн до 104.45 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRFD123PBF IRFD123PBF Vishay sihfd123.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+42.08 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD123PBF IRFD123PBF Vishay sihfd123.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+42.17 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD123PBF IRFD123PBF Vishay Semiconductors sihfd123.pdf MOSFETs HVMDIP 100V 1.3A N-CH MOSFET
на замовлення 3331 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
3+104.45 грн
10+69.04 грн
100+41.98 грн
500+36.41 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD123PBF IRFD123PBF VISHAY VISH-S-A0013329329-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFD123PBF - N CHANNEL MOSFET, 100V, 1.3A
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - Unlimited
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 0
Bauform - Transistor: HVMDIP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Compute Module 3+ Series
productTraceability: No
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD123PBF sihfd123.pdf
IRFD123PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+42.08 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD123PBF sihfd123.pdf
IRFD123PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+42.17 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD123PBF sihfd123.pdf
IRFD123PBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs HVMDIP 100V 1.3A N-CH MOSFET
на замовлення 3331 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+104.45 грн
10+69.04 грн
100+41.98 грн
500+36.41 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD123PBF VISH-S-A0013329329-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFD123PBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFD123PBF - N CHANNEL MOSFET, 100V, 1.3A
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - Unlimited
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 0
Bauform - Transistor: HVMDIP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Compute Module 3+ Series
productTraceability: No
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.