на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 35.80 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFD123PBF Vishay
Description: VISHAY - IRFD123PBF - N CHANNEL MOSFET, 100V, 1.3A, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Through Hole, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 0, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - Unlimited, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 0, Bauform - Transistor: HVMDIP, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: Compute Module 3+ Series, productTraceability: No, Kanaltyp: N Channel, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0, directShipCharge: 25, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Інші пропозиції IRFD123PBF за ціною від 19.80 грн до 150.32 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRFD123PBF | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-Pin HVMDIP |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFD123PBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs HVMDIP 100V 1.3A N-CH MOSFET |
на замовлення 3331 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFD123PBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIP Packaging: Bulk Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 780mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 4-HVMDIP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V |
на замовлення 3394 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFD123PBF | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRFD123PBF - N CHANNEL MOSFET, 100V, 1.3A tariffCode: 85412900 Transistormontage: Through Hole Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 0 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - Unlimited usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 0 Bauform - Transistor: HVMDIP Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: Compute Module 3+ Series productTraceability: No Kanaltyp: N Channel Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0 directShipCharge: 25 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 46 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
 |
IRFD123PBF Код товару: 26821
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : Vishay |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: HD-1 Uds,V: 60 V Idd,A: 1,1 A Rds(on), Ohm: 0,4 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 450/11 Монтаж: THT |
товару немає в наявності
|
|
||||||||||||||
 |
IRFD123PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 1.3A 4-Pin HVMDIP |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
IRFD123PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-Pin HVMDIP |
товару немає в наявності |