Продукція > SILICONIX > IRFD210

IRFD210 Siliconix

HRISD017-4-398.pdf?t.download=true&u=5oefqw sihfd210.pdf Виробник: Siliconix
N-MOSFET 0.6A 200V 1W 1.5Ω IRFD210 TIRFD210
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
40+16.87 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFD210 Siliconix

Description: 0.6A 200V 1.500 OHM N-CHANNEL, Packaging: Bulk, Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm), Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 360mA, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 4-DIP, Hexdip, HVMDIP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRFD210 за ціною від 81.48 грн до 108.79 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFD210 Виробник : Harris Corporation HRISD017-4-398.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: 0.6A 200V 1.500 OHM N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 360mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
на замовлення 1014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
270+81.48 грн
Мінімальне замовлення: 270
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD210 Виробник : HARRIS HRISD017-4-398.pdf?t.download=true&u=5oefqw sihfd210.pdf IRFD210
на замовлення 1014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
281+108.79 грн
500+97.93 грн
1000+90.32 грн
Мінімальне замовлення: 281
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD210 HRISD017-4-398.pdf?t.download=true&u=5oefqw sihfd210.pdf IRFD210 Транзисторы HEXFET
на замовлення 10 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD210 IRFD210 Виробник : Vishay sihfd210.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 4-Pin HVMDIP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD210 IRFD210 Виробник : Vishay Siliconix sihfd210.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 600MA 4DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 360mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD210 IRFD210 Виробник : Vishay / Siliconix HRISD017-4-398.pdf?t.download=true&u=5oefqw sihfd210.pdf MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD210 IRFD210 Виробник : onsemi / Fairchild HRISD017-4-398.pdf?t.download=true&u=5oefqw sihfd210.pdf MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.