IRFD210PBF VISHAY
Виробник: VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.38A; 1W; DIP4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.38A
Power dissipation: 1W
Case: DIP4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.2nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 966 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 53.73 грн |
| 12+ | 31.75 грн |
| 25+ | 28.50 грн |
| 39+ | 22.70 грн |
| 108+ | 21.46 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFD210PBF VISHAY
Description: VISHAY - IRFD210PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 600 mA, 1.5 ohm, DIP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 600mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: DIP, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Інші пропозиції IRFD210PBF за ціною від 25.75 грн до 149.78 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRFD210PBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.38A; 1W; DIP4 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 0.38A Power dissipation: 1W Case: DIP4 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: THT Gate charge: 8.2nC Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 966 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFD210PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 4-Pin HVMDIP |
на замовлення 192 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFD210PBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 200V 600MA 4DIP Packaging: Bulk Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 360mA, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 4-HVMDIP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V |
на замовлення 88 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFD210PBF | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRFD210PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 600 mA, 1.5 ohm, DIP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 600mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: DIP Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 651 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFD210PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 4-Pin HVMDIP |
на замовлення 45 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
 |
IRFD210PBF Код товару: 118708
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
||||||||||||||
|
|
IRFD210PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 4-Pin HVMDIP |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
IRFD210PBF | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs HVMDIP 200V 1.5A N-CH MOSFET |
товару немає в наявності |