на замовлення 1945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
21+ | 14.97 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFD210PBF Vishay
Description: MOSFET N-CH 200V 600MA 4DIP, Packaging: Bulk, Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm), Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 360mA, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 4-HVMDIP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRFD210PBF за ціною від 15.73 грн до 101.41 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRFD210PBF | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 4-Pin HVMDIP |
на замовлення 1944 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFD210PBF | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 4-Pin HVMDIP |
на замовлення 1021 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFD210PBF | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 4-Pin HVMDIP |
на замовлення 1021 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFD210PBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.38A; 1W; DIP4 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 0.38A Power dissipation: 1W Case: DIP4 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: THT Gate charge: 8.2nC Kind of channel: enhanced |
на замовлення 292 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFD210PBF | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 4-Pin HVMDIP |
на замовлення 1945 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFD210PBF | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 4-Pin HVMDIP |
на замовлення 230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFD210PBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.38A; 1W; DIP4 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 0.38A Power dissipation: 1W Case: DIP4 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: THT Gate charge: 8.2nC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 292 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFD210PBF | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 4-Pin HVMDIP |
на замовлення 2600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFD210PBF | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 4-Pin HVMDIP |
на замовлення 11303 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFD210PBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 200V 600MA 4DIP Packaging: Bulk Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 360mA, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 4-HVMDIP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V |
на замовлення 13621 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFD210PBF | Виробник : Vishay / Siliconix | MOSFET 200V N-CH HEXFET HEXDI |
на замовлення 3280 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFD210PBF | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 4-Pin HVMDIP |
на замовлення 1303 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFD210PBF | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRFD210PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 600 mA, 1.5 ohm, DIP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 600mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: DIP Anzahl der Pins: 4Pins productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm |
на замовлення 2283 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFD210PBF Код товару: 118708 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|