Продукція > VISHAY > IRFD210PBF
IRFD210PBF

IRFD210PBF Vishay

sihfd210.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
167+73.55 грн
Мінімальне замовлення: 167
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFD210PBF Vishay

Description: VISHAY - IRFD210PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 600 mA, 1.5 ohm, DIP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 600mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: DIP, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).

Інші пропозиції IRFD210PBF за ціною від 27.07 грн до 153.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFD210PBF IRFD210PBF Виробник : Vishay Siliconix sihfd210.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 600MA 4DIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 360mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+147.01 грн
10+90.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD210PBF IRFD210PBF Виробник : VISHAY VISH-S-A0013329294-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFD210PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 600 mA, 1.5 ohm, DIP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: DIP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 651 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+153.31 грн
10+97.64 грн
100+95.92 грн
500+86.69 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD210PBF IRFD210PBF Виробник : Vishay sihfd210.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD210PBF Виробник : VISHAY sihfd210.pdf IRFD210PBF THT N channel transistors
на замовлення 966 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+71.94 грн
40+28.62 грн
108+27.07 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD210PBF IRFD210PBF
Код товару: 118708
Додати до обраних Обраний товар

sihfd210.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD210PBF IRFD210PBF Виробник : Vishay sihfd210.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 4-Pin HVMDIP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD210PBF IRFD210PBF Виробник : Vishay / Siliconix sihfd210.pdf MOSFETs HVMDIP 200V 1.5A N-CH MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.