Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRFD220PBF Vishay
IRFD220PBF

IRFD220PBF Vishay

tf-irfd220pbf.pdf
Код товару: 22410
Додати до обраних Обраний товар

Виробник: Vishay
Корпус: HD-1
Напруга сток-витік Uds, В: 200 В
Струм стоку Idd, А: 0,8 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,8 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 260/14
Монтаж: THT
у наявності: 28 шт
  • 4 шт - склад
  • 15 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 9 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
1+21.00 грн
10+18.60 грн
100+17.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRFD220PBF за ціною від 43.26 грн до 129.03 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRFD220PBF IRFD220PBF Vishay Semiconductors tf-irfd220pbf.pdf MOSFETs HVMDIP 200V .8A N-CH MOSFET
на замовлення 1165 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
3+129.03 грн
10+105.56 грн
100+86.52 грн
500+52.82 грн
2500+43.34 грн
25000+43.26 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD220PBF IRFD220PBF VISHAY VISH-S-A0013329349-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFD220PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 1.3 A, 0.8 ohm, DIP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: DIP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
на замовлення 344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD220PBF tf-irfd220pbf.pdf
IRFD220PBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs HVMDIP 200V .8A N-CH MOSFET
на замовлення 1165 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+129.03 грн
10+105.56 грн
100+86.52 грн
500+52.82 грн
2500+43.34 грн
25000+43.26 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD220PBF VISH-S-A0013329349-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFD220PBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFD220PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 1.3 A, 0.8 ohm, DIP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: DIP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
на замовлення 344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.