Продукція > VISHAY > IRFD224PBF
IRFD224PBF

IRFD224PBF Vishay

sihfd224.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 250V 0.63A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
139+88.39 грн
194+63.15 грн
500+51.50 грн
1000+45.29 грн
Мінімальне замовлення: 139
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFD224PBF Vishay

Description: MOSFET N-CH 250V 630MA 4DIP, Packaging: Tube, Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm), Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 380mA, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 4-HVMDIP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRFD224PBF за ціною від 38.26 грн до 114.59 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFD224PBF IRFD224PBF Виробник : Vishay Semiconductors sihfd224.pdf MOSFET N-Chan 250V 0.63 Amp
на замовлення 1735 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+114.15 грн
10+71.07 грн
100+50.32 грн
500+44.29 грн
1000+40.54 грн
5000+38.62 грн
10000+38.26 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD224PBF IRFD224PBF Виробник : Vishay sihfd224.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 0.63A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+114.59 грн
10+82.08 грн
100+58.64 грн
500+46.11 грн
1000+38.94 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD224PBF IRFD224PBF Виробник : Vishay sihfd224.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 0.63A 4-Pin HVMDIP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD224PBF Виробник : VISHAY sihfd224.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 630mA; Idm: 5A; 1W; HVMDIP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 0.63A
Pulsed drain current: 5A
Power dissipation: 1W
Case: HVMDIP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 14nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD224PBF IRFD224PBF Виробник : Vishay Siliconix sihfd224.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 630MA 4DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 380mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD224PBF Виробник : VISHAY sihfd224.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 630mA; Idm: 5A; 1W; HVMDIP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 0.63A
Pulsed drain current: 5A
Power dissipation: 1W
Case: HVMDIP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 14nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.