на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 360+ | 32.56 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFD224PBF Vishay
Description: MOSFET N-CH 250V 630MA 4DIP, Packaging: Tube, Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm), Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 380mA, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 4-HVMDIP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRFD224PBF за ціною від 30.23 грн до 103.59 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRFD224PBF | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 250V 0.63A 4-Pin HVMDIP |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFD224PBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 250V 630MA 4DIP Packaging: Tube Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 380mA, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 4-HVMDIP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V |
на замовлення 2250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFD224PBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET N-Chan 250V 0.63 Amp |
на замовлення 1735 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFD224PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 250V 0.63A 4-Pin HVMDIP |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| IRFD224PBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 630mA; Idm: 5A; 1W; HVMDIP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 0.63A Pulsed drain current: 5A Power dissipation: 1W Case: HVMDIP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.1Ω Mounting: THT Gate charge: 14nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| IRFD224PBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 630mA; Idm: 5A; 1W; HVMDIP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 0.63A Pulsed drain current: 5A Power dissipation: 1W Case: HVMDIP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.1Ω Mounting: THT Gate charge: 14nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |