IRFD320PBF VISHAY
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 0.31A; 1W; DIP4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 0.31A
Power dissipation: 1W
Case: DIP4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 0.31A; 1W; DIP4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 0.31A
Power dissipation: 1W
Case: DIP4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of channel: enhanced
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 59.76 грн |
9+ | 42.18 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFD320PBF VISHAY
Description: MOSFET N-CH 400V 490MA 4DIP, Packaging: Tube, Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm), Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 490mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 210mA, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 4-HVMDIP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRFD320PBF за ціною від 37.96 грн до 136.65 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRFD320PBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 0.31A; 1W; DIP4 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 0.31A Power dissipation: 1W Case: DIP4 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.8Ω Mounting: THT Gate charge: 20nC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 23 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFD320PBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 400V 490MA 4DIP Packaging: Tube Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 490mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 210mA, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 4-HVMDIP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V |
на замовлення 303 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFD320PBF | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 400V 0.49A 4-Pin HVMDIP |
на замовлення 3835 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFD320PBF | Виробник : Vishay Semiconductors | MOSFET 400V N-CH HEXFET HEXDI |
на замовлення 4176 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFD320PBF | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 400V 0.49A 4-Pin HVMDIP |
на замовлення 3835 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFD320PBF | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 400V 0.49A 4-Pin HVMDIP |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
IRFD320PBF | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 400V 0.49A 4-Pin HVMDIP |
товар відсутній |