Продукція > VISHAY > IRFD420PBF
IRFD420PBF

IRFD420PBF VISHAY


IRFD420PBF.pdf Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 0.23A; 1W; DIP4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 0.23A
Power dissipation: 1W
Case: DIP4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1744 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+54.47 грн
9+45.37 грн
25+36.02 грн
69+34.49 грн
500+33.64 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFD420PBF VISHAY

Description: MOSFET N-CH 500V 370MA 4DIP, Packaging: Bulk, Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm), Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 370mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 220mA, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 4-HVMDIP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRFD420PBF за ціною від 40.37 грн до 145.91 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFD420PBF IRFD420PBF Виробник : VISHAY IRFD420PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 0.23A; 1W; DIP4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 0.23A
Power dissipation: 1W
Case: DIP4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1744 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+65.36 грн
6+56.53 грн
25+43.22 грн
69+41.38 грн
500+40.37 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD420PBF IRFD420PBF Виробник : Vishay Semiconductors sihfd420.pdf MOSFETs MOSFET N-CHANNEL 500V
на замовлення 277 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+145.91 грн
10+119.29 грн
100+83.13 грн
500+73.57 грн
1000+66.80 грн
2500+55.10 грн
5000+53.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD420PBF IRFD420PBF Виробник : Vishay sihfd420.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.37A 4-Pin HVMDIP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD420PBF IRFD420PBF Виробник : Vishay sihfd420.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.37A 4-Pin HVMDIP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD420PBF IRFD420PBF Виробник : VISHAY VISH-S-A0013329337-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFD420PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 370 mA, 3 ohm, HVMDIP, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 370
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1
Bauform - Transistor: HVMDIP
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 3
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD420PBF IRFD420PBF Виробник : Vishay Siliconix sihfd420.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 370MA 4DIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 370mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 220mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.