IRFD420PBF VISHAY
Виробник: VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 0.23A; 1W; DIP4
Case: DIP4
Mounting: THT
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 24nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 0.23A
On-state resistance: 3Ω
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 581 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 49.43 грн |
| 9+ | 41.17 грн |
| 25+ | 32.69 грн |
| 68+ | 31.29 грн |
| 500+ | 30.53 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFD420PBF VISHAY
Description: MOSFET N-CH 500V 370MA 4DIP, Packaging: Bulk, Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm), Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 370mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 220mA, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 4-HVMDIP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRFD420PBF за ціною від 36.64 грн до 132.41 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRFD420PBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 0.23A; 1W; DIP4 Case: DIP4 Mounting: THT Power dissipation: 1W Polarisation: unipolar Gate charge: 24nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 500V Drain current: 0.23A On-state resistance: 3Ω Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 581 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFD420PBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET 500V N-CH HEXFET HEXDI |
на замовлення 477 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFD420PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 0.37A 4-Pin HVMDIP |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
IRFD420PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 0.37A 4-Pin HVMDIP |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
IRFD420PBF | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRFD420PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 370 mA, 3 ohm, HVMDIP, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500 Dauer-Drainstrom Id: 370 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 1 Bauform - Transistor: HVMDIP Anzahl der Pins: 4 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 3 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 4 SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
IRFD420PBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 500V 370MA 4DIP Packaging: Bulk Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 370mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 220mA, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 4-HVMDIP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V |
товар відсутній |