| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 112.65 грн |
| 10+ | 74.81 грн |
| 100+ | 52.37 грн |
| 2500+ | 52.30 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFD9010PBF Vishay / Siliconix
Description: MOSFET P-CH 50V 1.1A 4DIP, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: 4-HVMDIP, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 1W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 580mA, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Tc), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm), Packaging: Tube.
Інші пропозиції IRFD9010PBF за ціною від 145.90 грн до 145.90 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFD9010PBF | Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET P-CH 50V 1.1A 4DIPInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 4-HVMDIP Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 580mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm) Packaging: Tube |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
 |
IRFD9010PBF | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 50V 1.1A 4-Pin HVMDIP |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
|
IRFD9010PBF | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 50V 1.1A 4-Pin HVMDIP |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. |
| IRFD9010PBF |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 50V 1.1A 4DIP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 580mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Packaging: Tube
Description: MOSFET P-CH 50V 1.1A 4DIP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 580mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Packaging: Tube
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 145.90 грн |
| IRFD9010PBF |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 50V 1.1A 4-Pin HVMDIP
Trans MOSFET P-CH 50V 1.1A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRFD9010PBF |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 50V 1.1A 4-Pin HVMDIP
Trans MOSFET P-CH 50V 1.1A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)