IRFD9014 (транзистор полевой) Vishay
Код товару: 43571
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: Vishay
Uds,V: 60 V
Id,A: 1 A
Rds(on),Om: 10 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 270/12
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRFD9014 (транзистор полевой)
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFD9014 | Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET P-CH 60V 1.1A 4DIPPackaging: Tube Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 660mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 4-HVMDIP Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
IRFD9014 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFD |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| IRFD9014 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 1.1A 4DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 660mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 60V 1.1A 4DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 660mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IRFD9014 |
|
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFD
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFD
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.