Продукція > VISHAY > IRFD9014PBF
IRFD9014PBF

IRFD9014PBF Vishay

sihfd901.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 1.1A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 1561 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
253+48.41 грн
276+44.27 грн
Мінімальне замовлення: 253
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFD9014PBF Vishay

Description: VISHAY - IRFD9014PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.1 A, 0.5 ohm, HVMDIP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.3W, Bauform - Transistor: HVMDIP, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції IRFD9014PBF за ціною від 9.90 грн до 152.68 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFD9014PBF IRFD9014PBF Виробник : Vishay sihfd901.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.1A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 1561 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+50.30 грн
14+44.95 грн
100+41.11 грн
500+37.91 грн
1000+34.24 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9014PBF IRFD9014PBF Виробник : Vishay sihfd901.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.1A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 3982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
202+60.43 грн
240+50.89 грн
500+46.92 грн
1000+42.36 грн
2500+30.64 грн
Мінімальне замовлення: 202
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9014PBF IRFD9014PBF Виробник : VISHAY IRFD9014PBF.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.8A; 1.3W; DIP4
Case: DIP4
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.8A
On-state resistance: 0.5Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: unipolar
на замовлення 3351 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+64.37 грн
10+38.93 грн
25+34.26 грн
30+30.86 грн
80+29.18 грн
500+28.74 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9014PBF IRFD9014PBF Виробник : Vishay sihfd901.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.1A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+70.67 грн
11+55.52 грн
100+46.75 грн
500+41.57 грн
1000+36.04 грн
2500+27.03 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9014PBF IRFD9014PBF Виробник : VISHAY IRFD9014PBF.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.8A; 1.3W; DIP4
Case: DIP4
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.8A
On-state resistance: 0.5Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3351 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+77.25 грн
6+48.51 грн
25+41.11 грн
30+37.03 грн
80+35.02 грн
500+34.49 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9014PBF IRFD9014PBF Виробник : Vishay Siliconix sihfd901.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 1.1A 4DIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 660mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
на замовлення 5846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+146.43 грн
10+89.89 грн
100+60.59 грн
500+45.09 грн
1000+41.30 грн
2500+37.20 грн
5000+34.10 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9014PBF IRFD9014PBF Виробник : VISHAY VISH-S-A0013329320-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFD9014PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.1 A, 0.5 ohm, HVMDIP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: HVMDIP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+152.68 грн
10+97.38 грн
100+65.78 грн
500+43.60 грн
1000+36.85 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9014PBF IRFD9014PBF
Код товару: 43657
Додати до обраних Обраний товар

Виробник : Vishay sihfd901-datasheet.pdf Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: HVMDIP
Uds,V: 60 V
Id,A: 1,1 A
Rds(on),Om: 0,50 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 270/12
Монтаж: THT
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+11.00 грн
10+10.50 грн
100+9.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9014PBF IRFD9014PBF Виробник : Vishay sihfd901.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.1A 4-Pin HVMDIP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9014PBF IRFD9014PBF Виробник : Vishay / Siliconix sihfd901.pdf MOSFETs HVMDIP 60V 1.1A P-CH MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.