Продукція > VISHAY > IRFD9014PBF
IRFD9014PBF

IRFD9014PBF Vishay


sihfd901.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 1.1A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 2038 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
287+42.73 грн
500+ 41.5 грн
Мінімальне замовлення: 287
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFD9014PBF Vishay

Description: VISHAY - IRFD9014PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.1 A, 0.5 ohm, HVMDIP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.3W, Bauform - Transistor: HVMDIP, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції IRFD9014PBF за ціною від 28.76 грн до 97.3 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRFD9014PBF IRFD9014PBF Виробник : Vishay sihfd901.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.1A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 2038 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+59.44 грн
13+ 47.45 грн
100+ 39.68 грн
500+ 37.16 грн
Мінімальне замовлення: 11
IRFD9014PBF IRFD9014PBF Виробник : VISHAY IRFD9014PBF.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.8A; 1.3W; DIP4
Case: DIP4
Mounting: THT
Drain current: -0.8A
On-state resistance: 0.5Ω
Drain-source voltage: -60V
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 4706 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+64.06 грн
10+ 38.85 грн
25+ 34.26 грн
29+ 30.91 грн
79+ 29.22 грн
500+ 28.76 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRFD9014PBF IRFD9014PBF Виробник : VISHAY IRFD9014PBF.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.8A; 1.3W; DIP4
Case: DIP4
Mounting: THT
Drain current: -0.8A
On-state resistance: 0.5Ω
Drain-source voltage: -60V
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4706 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+76.87 грн
6+ 48.41 грн
25+ 41.11 грн
29+ 37.09 грн
79+ 35.06 грн
500+ 34.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFD9014PBF IRFD9014PBF Виробник : Vishay Siliconix sihfd901.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 1.1A 4DIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 660mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
на замовлення 6943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+94.61 грн
10+ 58.05 грн
100+ 39.14 грн
500+ 31.73 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFD9014PBF IRFD9014PBF Виробник : Vishay / Siliconix sihfd901.pdf MOSFETs HVMDIP 60V 1.1A P-CH MOSFET
на замовлення 2923 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+95.29 грн
10+ 58.02 грн
100+ 38.24 грн
500+ 34.98 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFD9014PBF IRFD9014PBF Виробник : VISHAY VISH-S-A0013329320-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFD9014PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.1 A, 0.5 ohm, HVMDIP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: HVMDIP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+97.3 грн
14+ 61.95 грн
100+ 43.06 грн
500+ 35.16 грн
Мінімальне замовлення: 9
IRFD9014PBF IRFD9014PBF
Код товару: 43657
Виробник : Vishay sihfd901-datasheet.pdf Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: HVMDIP
Uds,V: 60 V
Id,A: 1,1 A
Rds(on),Om: 0,50 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 270/12
Монтаж: THT
товар відсутній
IRFD9014PBF IRFD9014PBF Виробник : Vishay sihfd901.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.1A 4-Pin HVMDIP
товар відсутній
IRFD9014PBF IRFD9014PBF Виробник : Vishay sihfd901.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.1A 4-Pin HVMDIP
товар відсутній