Продукція > VISHAY > IRFD9014PBF
IRFD9014PBF

IRFD9014PBF Vishay

sihfd901.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 1.1A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 561 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
208+59.37 грн
Мінімальне замовлення: 208
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFD9014PBF Vishay

Description: VISHAY - IRFD9014PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.1 A, 0.5 ohm, HVMDIP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.3W, Bauform - Transistor: HVMDIP, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції IRFD9014PBF за ціною від 9.90 грн до 141.02 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFD9014PBF IRFD9014PBF Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8AA1CA9DBB2469&compId=IRFD9014PBF.pdf?ci_sign=8c8420f06cb86b7a81ab39bc7a688f557b5768a3 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.8A; 1.3W; DIP4
Case: DIP4
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.8A
Gate charge: 12nC
On-state resistance: 0.5Ω
Power dissipation: 1.3W
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+62.56 грн
10+54.79 грн
25+50.09 грн
30+37.62 грн
83+35.52 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9014PBF IRFD9014PBF Виробник : Vishay sihfd901.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.1A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 561 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+63.61 грн
13+55.54 грн
100+49.61 грн
500+46.18 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9014PBF IRFD9014PBF Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8AA1CA9DBB2469&compId=IRFD9014PBF.pdf?ci_sign=8c8420f06cb86b7a81ab39bc7a688f557b5768a3 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.8A; 1.3W; DIP4
Case: DIP4
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.8A
Gate charge: 12nC
On-state resistance: 0.5Ω
Power dissipation: 1.3W
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+70.94 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9014PBF IRFD9014PBF Виробник : Vishay Siliconix sihfd901.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 1.1A 4DIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 660mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
на замовлення 436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+136.81 грн
10+83.73 грн
100+56.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9014PBF IRFD9014PBF Виробник : VISHAY VISH-S-A0013329320-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFD9014PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.1 A, 0.5 ohm, HVMDIP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: HVMDIP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+141.02 грн
10+89.74 грн
100+60.51 грн
500+43.17 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9014PBF Виробник : Vishay Siliconix sihfd901.pdf P-Channel 60V 1.1A (Ta) 1.3W (Ta) Through Hole 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
на замовлення 1 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9014PBF IRFD9014PBF
Код товару: 43657
Додати до обраних Обраний товар

Виробник : Vishay sihfd901-datasheet.pdf Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: HVMDIP
Uds,V: 60 V
Id,A: 1,1 A
Rds(on),Om: 0,50 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 270/12
Монтаж: THT
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+20.00 грн
10+10.50 грн
100+9.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9014PBF IRFD9014PBF Виробник : Vishay sihfd901.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.1A 4-Pin HVMDIP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9014PBF IRFD9014PBF Виробник : Vishay / Siliconix sihfd901.pdf MOSFETs HVMDIP 60V 1.1A P-CH MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.