Технічний опис IRFD9020 IR
Description: MOSFET P-CH 60V 1.6A 4DIP, Packaging: Tube, Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm), Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 960mA, 10V, Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1µA, Supplier Device Package: 4-HVMDIP, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRFD9020
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| IRFD9020 | Виробник : IR |
 |
на замовлення 400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
IRFD9020 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 4-Pin HVMDIP |
товару немає в наявності |
|
 |
IRFD9020 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 60V 1.6A 4DIP Packaging: Tube Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 960mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1µA Supplier Device Package: 4-HVMDIP Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|
 |
IRFD9020 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFD9020PBF |
товару немає в наявності |