IRFD9020PBF VISHAY
Виробник: VISHAYCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.6A; Idm: -13A; 1.3W; HVMDIP
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.6A
Pulsed drain current: -13A
Power dissipation: 1.3W
Case: HVMDIP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2380 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 69.97 грн |
| 10+ | 61.84 грн |
| 28+ | 33.26 грн |
| 75+ | 31.42 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFD9020PBF VISHAY
Description: VISHAY - IRFD9020PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.6 A, 0.28 ohm, HVMDIP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.3W, Bauform - Transistor: HVMDIP, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції IRFD9020PBF за ціною від 37.70 грн до 177.67 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRFD9020PBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.6A; Idm: -13A; 1.3W; HVMDIP Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -1.6A Pulsed drain current: -13A Power dissipation: 1.3W Case: HVMDIP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: THT Gate charge: 19nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2380 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFD9020PBF | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRFD9020PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.6 A, 0.28 ohm, HVMDIP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.3W Bauform - Transistor: HVMDIP Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 1384 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFD9020PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 4-Pin HVMDIP |
на замовлення 148 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFD9020PBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 60V 1.6A 4DIP Packaging: Tube Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 960mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1µA Supplier Device Package: 4-HVMDIP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V |
на замовлення 185 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFD9020PBF | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs HVMDIP 60V 1.6A P-CH MOSFET |
на замовлення 3720 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFD9020PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 4-Pin HVMDIP |
на замовлення 1200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |