IRFD9020PBF VISHAY
Виробник: VISHAYDescription: VISHAY - IRFD9020PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.6 A, 0.28 ohm, HVMDIP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: HVMDIP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 163.42 грн |
| 10+ | 103.26 грн |
| 100+ | 78.21 грн |
| 500+ | 52.69 грн |
| 1000+ | 43.41 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFD9020PBF VISHAY
Description: VISHAY - IRFD9020PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.6 A, 0.28 ohm, HVMDIP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.3W, Bauform - Transistor: HVMDIP, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції IRFD9020PBF за ціною від 41.02 грн до 193.30 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFD9020PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 4-Pin HVMDIP |
на замовлення 148 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFD9020PBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 60V 1.6A 4DIP Packaging: Tube Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 960mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1µA Supplier Device Package: 4-HVMDIP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V |
на замовлення 19 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFD9020PBF | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs HVMDIP 60V 1.6A P-CH MOSFET |
на замовлення 3720 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFD9020PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 4-Pin HVMDIP |
на замовлення 1200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| IRFD9020PBF | Виробник : VISHAY |
IRFD9020PBF THT P channel transistors |
на замовлення 244 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|