на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 13+ | 24.77 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFD9024PBF Vishay
Description: VISHAY - IRFD9024PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.6 A, 0.28 ohm, DIP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.3W, Bauform - Transistor: DIP, Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Інші пропозиції IRFD9024PBF за ціною від 42.18 грн до 107.85 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFD9024PBF | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 4-Pin HVMDIP |
на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFD9024PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 4-Pin HVMDIP |
на замовлення 32 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFD9024PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 4-Pin HVMDIP |
на замовлення 146 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFD9024PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 4-Pin HVMDIP |
на замовлення 146 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFD9024PBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET 60V P-CH HEXFET MOSFET H |
на замовлення 7996 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFD9024PBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 60V 1.6A 4DIP Packaging: Bulk Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 960mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 4-HVMDIP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V |
на замовлення 1735 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFD9024PBF | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRFD9024PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.6 A, 0.28 ohm, DIP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.3W Bauform - Transistor: DIP Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 2623 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFD9024PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 4-Pin HVMDIP |
на замовлення 32 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
IRFD9024PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 4-Pin HVMDIP |
на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
 |
IRFD9024PBF Код товару: 48522 |
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 |
товар відсутній
|
||||||||||||||||||
 |
IRFD9024PBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.1A; 1.3W; DIP4 Case: DIP4 Mounting: THT Power dissipation: 1.3W Polarisation: unipolar Gate charge: 19nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: -60V Drain current: -1.1A On-state resistance: 0.28Ω Type of transistor: P-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IRFD9024PBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.1A; 1.3W; DIP4 Case: DIP4 Mounting: THT Power dissipation: 1.3W Polarisation: unipolar Gate charge: 19nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: -60V Drain current: -1.1A On-state resistance: 0.28Ω Type of transistor: P-MOSFET |
товар відсутній |