Продукція > VISHAY > IRFD9110PBF
IRFD9110PBF

IRFD9110PBF Vishay

sihfd911.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 0.7A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
134+105.63 грн
156+90.49 грн
200+86.01 грн
Мінімальне замовлення: 134 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFD9110PBF Vishay

Description: MOSFET P-CH 100V 700MA 4DIP, Packaging: Bulk, Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm), Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 420mA, 10V, Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 4-HVMDIP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRFD9110PBF за ціною від 204.15 грн до 204.15 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRFD9110PBF IRFD9110PBF Vishay sihfd911.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 0.7A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
70+204.15 грн
Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9110PBF IRFD9110PBF Vishay Semiconductors sihfd911.pdf MOSFETs HVMDIP 100V .7A P-CH MOSFET
на замовлення 1916 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9110PBF IRFD9110PBF VISHAY VISH-S-A0013329331-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFD9110PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 700 mA, 1.2 ohm, DIP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 700mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: DIP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
на замовлення 627 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9110PBF sihfd911.pdf
IRFD9110PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 0.7A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
70+204.15 грн
Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9110PBF sihfd911.pdf
IRFD9110PBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs HVMDIP 100V .7A P-CH MOSFET
на замовлення 1916 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9110PBF VISH-S-A0013329331-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFD9110PBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFD9110PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 700 mA, 1.2 ohm, DIP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 700mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: DIP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
на замовлення 627 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.