на замовлення 9107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 18.67 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFD9110PBF Vishay
Description: MOSFET P-CH 100V 700MA 4DIP, Packaging: Bulk, Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm), Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 420mA, 10V, Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 4-HVMDIP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRFD9110PBF за ціною від 27.50 грн до 184.84 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFD9110PBF | Виробник : VISHAY |
 Category: THT P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.49A; 1.3W; DIP4 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -0.49A Power dissipation: 1.3W Case: DIP4 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.2Ω Mounting: THT Gate charge: 8.7nC Kind of channel: enhancement |
на замовлення 1010 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFD9110PBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.49A; 1.3W; DIP4 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -0.49A Power dissipation: 1.3W Case: DIP4 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.2Ω Mounting: THT Gate charge: 8.7nC Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1010 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFD9110PBF | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRFD9110PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 700 mA, 1.2 ohm, DIP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 700mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.3W Bauform - Transistor: DIP Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm |
на замовлення 627 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFD9110PBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs HVMDIP 100V .7A P-CH MOSFET |
на замовлення 1916 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFD9110PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 0.7A 4-Pin HVMDIP |
на замовлення 180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFD9110PBF Код товару: 59118
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : Vishay |
Транзистори > Польові P-канальні Корпус: HVMDIP Uds,V: 100 V Id,A: 0,7 A Rds(on),Om: 1,2 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 200/8.7 Монтаж: THT |
товару немає в наявності
|
|
||||||||||||||
 |
IRFD9110PBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 100V 700MA 4DIP Packaging: Bulk Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 420mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 4-HVMDIP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |