Продукція > VISHAY > IRFD9110PBF
IRFD9110PBF

IRFD9110PBF Vishay

sihfd911.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 0.7A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 9107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+19.80 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFD9110PBF Vishay

Description: MOSFET P-CH 100V 700MA 4DIP, Packaging: Bulk, Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm), Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 420mA, 10V, Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 4-HVMDIP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRFD9110PBF за ціною від 27.50 грн до 183.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFD9110PBF IRFD9110PBF Виробник : VISHAY irfd9110.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.49A; 1.3W; DIP4
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -0.49A
Power dissipation: 1.3W
Case: DIP4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.7nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 426 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+75.42 грн
10+57.61 грн
100+49.28 грн
200+46.86 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9110PBF IRFD9110PBF Виробник : VISHAY irfd9110.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.49A; 1.3W; DIP4
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -0.49A
Power dissipation: 1.3W
Case: DIP4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.7nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 426 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
4+90.51 грн
10+71.80 грн
100+59.13 грн
200+56.23 грн
500+52.43 грн
1000+49.43 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9110PBF IRFD9110PBF Виробник : Vishay sihfd911.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 0.7A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
134+94.85 грн
156+81.25 грн
200+77.23 грн
Мінімальне замовлення: 134
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9110PBF IRFD9110PBF Виробник : VISHAY VISH-S-A0013329331-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFD9110PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 700 mA, 1.2 ohm, DIP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 700mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: DIP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
на замовлення 627 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+143.67 грн
10+110.44 грн
100+85.03 грн
500+77.37 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9110PBF IRFD9110PBF Виробник : Vishay Semiconductors sihfd911.pdf MOSFETs HVMDIP 100V .7A P-CH MOSFET
на замовлення 1916 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+148.48 грн
10+98.49 грн
100+72.92 грн
500+64.27 грн
2500+54.51 грн
25000+51.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9110PBF IRFD9110PBF Виробник : Vishay sihfd911.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 0.7A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
70+183.31 грн
Мінімальне замовлення: 70
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9110PBF IRFD9110PBF
Код товару: 59118
Додати до обраних Обраний товар

Виробник : Vishay dx8m7nt348ongfuowc.pdf Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: HVMDIP
Uds,V: 100 V
Id,A: 0,7 A
Rds(on),Om: 1,2 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 200/8.7
Монтаж: THT
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+33.00 грн
10+27.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9110PBF IRFD9110PBF Виробник : Vishay Siliconix sihfd911.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 700MA 4DIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 420mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.