Продукція > Транзистори > Польові P-канальні > IRFD9110PBF Vishay
IRFD9110PBF

IRFD9110PBF Vishay

dx8m7nt348ongfuowc.pdf
Код товару: 59118
Виробник: Vishay
Корпус: HVMDIP
Uds,V: 100 V
Id,A: 0,7 A
Rds(on),Om: 1,2 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 200/8.7
Монтаж: THT
у наявності 3 шт:
3 шт - РАДІОМАГ-Львів
Кількість Ціна
1+33.00 грн
10+27.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRFD9110PBF за ціною від 17.95 грн до 192.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFD9110PBF IRFD9110PBF Виробник : Vishay sihfd911.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 0.7A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 9107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+17.95 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9110PBF IRFD9110PBF Виробник : Vishay sihfd911.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 0.7A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 301 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
145+84.18 грн
164+74.43 грн
187+65.39 грн
188+62.43 грн
Мінімальне замовлення: 145
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9110PBF IRFD9110PBF Виробник : Vishay sihfd911.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 0.7A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 301 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+102.90 грн
10+78.07 грн
25+69.02 грн
50+58.48 грн
100+53.61 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9110PBF IRFD9110PBF Виробник : VISHAY VISH-S-A0013329331-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFD9110PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 700 mA, 1.2 ohm, DIP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 700mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: DIP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
на замовлення 1264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+110.71 грн
10+89.54 грн
100+77.50 грн
500+61.00 грн
1000+47.87 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9110PBF IRFD9110PBF Виробник : VISHAY irfd9110.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.49A; 1.3W; DIP4
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -0.49A
Power dissipation: 1.3W
Case: DIP4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.7nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1579 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+118.04 грн
10+52.84 грн
34+26.46 грн
92+25.02 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9110PBF IRFD9110PBF Виробник : Vishay Semiconductors sihfd911.pdf MOSFETs HVMDIP 100V .7A P-CH MOSFET
на замовлення 1916 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+134.61 грн
10+89.29 грн
100+66.11 грн
500+58.27 грн
2500+49.42 грн
25000+46.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9110PBF IRFD9110PBF Виробник : VISHAY irfd9110.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.49A; 1.3W; DIP4
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -0.49A
Power dissipation: 1.3W
Case: DIP4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.7nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1579 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+141.64 грн
10+65.84 грн
34+31.75 грн
92+30.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9110PBF IRFD9110PBF Виробник : Vishay sihfd911.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 0.7A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
64+192.31 грн
Мінімальне замовлення: 64
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9110PBF IRFD9110PBF Виробник : Vishay Siliconix sihfd911.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 700MA 4DIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 420mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

IRFD110PBF
Код товару: 98653
Додати до обраних Обраний товар

sihfd110.pdf
IRFD110PBF
Виробник: Siliconix
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: HVMDIP-4
Uds,V: 100 V
Idd,A: 0,7 A
Rds(on), Ohm: 0,54 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 180/8,3
Монтаж: THT
у наявності: 37 шт
15 шт - склад
6 шт - РАДІОМАГ-Київ
4 шт - РАДІОМАГ-Львів
2 шт - РАДІОМАГ-Одеса
10 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+18.00 грн
10+16.20 грн
100+14.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.