IRFD9113 Harris Corporation
Виробник: Harris CorporationDescription: -0.6A, -80V, 1.6 OHM, P-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 300mA, 10V
Supplier Device Package: 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
на замовлення 1090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 485+ | 46.87 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFD9113 Harris Corporation
Description: -0.6A, -80V, 1.6 OHM, P-CHANNEL, Packaging: Bulk, Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm), Mounting Type: Through Hole, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 300mA, 10V, Supplier Device Package: 4-DIP, Hexdip, HVMDIP, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRFD9113
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFD9113 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFET P-Chan 100V 0.7 Amp |
на замовлення 176 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
 |
IRFD9113 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 60V 600MA 4DIP Packaging: Tube Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm) Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 300mA, 10V Supplier Device Package: 4-HVMDIP Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |