на замовлення 258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 18+ | 20.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFD9210PBF Vishay
Description: MOSFET P-CH 200V 400MA 4DIP, Packaging: Bulk, Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm), Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 240mA, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 4-HVMDIP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRFD9210PBF за ціною від 25.19 грн до 193.91 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFD9210PBF | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET P-CH 200V 0.4A 4-Pin HVMDIP |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFD9210PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 200V 0.4A 4-Pin HVMDIP |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFD9210PBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -0.25A; 1W; DIP4 Case: DIP4 Mounting: THT Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -200V Drain current: -0.25A Gate charge: 8.9nC On-state resistance: 3Ω Power dissipation: 1W Gate-source voltage: ±20V Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET |
на замовлення 2075 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFD9210PBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -0.25A; 1W; DIP4 Case: DIP4 Mounting: THT Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -200V Drain current: -0.25A Gate charge: 8.9nC On-state resistance: 3Ω Power dissipation: 1W Gate-source voltage: ±20V Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2075 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFD9210PBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 200V 400MA 4DIP Packaging: Bulk Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 240mA, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 4-HVMDIP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V |
на замовлення 3184 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFD9210PBF | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs HVMDIP 200V .4A P-CH MOSFET |
товару немає в наявності |