Продукція > VISHAY > IRFD9210PBF
IRFD9210PBF

IRFD9210PBF Vishay

sihfd921.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 200V 0.4A 4-Pin HVMDIP
на замовлення 1975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
152+84.96 грн
233+55.14 грн
269+47.91 грн
Мінімальне замовлення: 152
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFD9210PBF Vishay

Description: MOSFET P-CH 200V 400MA 4DIP, Packaging: Bulk, Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm), Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 240mA, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 4-HVMDIP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRFD9210PBF за ціною від 25.85 грн до 160.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFD9210PBF IRFD9210PBF Виробник : VISHAY irfd9210.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -0.25A; 1W; DIP4
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -0.25A
Power dissipation: 1W
Case: DIP4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.9nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1975 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+85.37 грн
7+66.39 грн
10+57.55 грн
25+44.34 грн
100+29.73 грн
200+25.85 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9210PBF IRFD9210PBF Виробник : VISHAY irfd9210.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -0.25A; 1W; DIP4
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -0.25A
Power dissipation: 1W
Case: DIP4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.9nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1975 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
4+102.44 грн
5+82.73 грн
10+69.06 грн
25+53.21 грн
100+35.67 грн
200+31.01 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9210PBF IRFD9210PBF Виробник : Vishay Siliconix tf-irfd9210pbf.pdf Description: MOSFET P-CH 200V 400MA 4DIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 240mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
на замовлення 891 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+160.52 грн
10+99.51 грн
100+67.96 грн
500+51.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9210PBF IRFD9210PBF Виробник : Vishay / Siliconix tf-irfd9210pbf.pdf MOSFETs HVMDIP 200V .4A P-CH MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.