IRFD9220PBF (DIP-4, Siliconix)
Код товару: 31846
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: Siliconix
Корпус: HD-1
Uds,V: 200 V
Id,A: 0,6 A
Rds(on),Om: 1,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 340/15
Монтаж: THT
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRFD9220PBF (DIP-4, Siliconix) за ціною від 31.62 грн до 167.46 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFD9220PBF | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRFD9220PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 560 mA, 1.5 ohm, HVMDIP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 560mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.3W Bauform - Transistor: HVMDIP Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 744 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IRFD9220PBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -0.36A; 1W; DIP4 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -200V Drain current: -360mA Power dissipation: 1W Case: DIP4 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: THT Gate charge: 15nC Kind of channel: enhancement |
на замовлення 105 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IRFD9220PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 200V 0.56A 4-Pin HVMDIP |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||
|
|
IRFD9220PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 200V 0.56A 4-Pin HVMDIP |
на замовлення 105 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |