IRFD9220PBF (DIP-4, Siliconix)

Код товару: 31846
Виробник: SiliconixКорпус: HD-1
Uds,V: 200 V
Id,A: 0,6 A
Rds(on),Om: 1,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 340/15
у наявності 14 шт:
14 шт - склад
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 33.00 грн |
10+ | 29.20 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRFD9220PBF (DIP-4, Siliconix) за ціною від 18.46 грн до 197.08 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRFD9220PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 4630 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFD9220PBF | Виробник : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 560mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.3W Bauform - Transistor: HVMDIP Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 1831 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFD9220PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 4626 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFD9220PBF | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -0.36A; 1W; DIP4 Case: DIP4 Mounting: THT Drain-source voltage: -200V Drain current: -360mA On-state resistance: 1.5Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1W Polarisation: unipolar Gate charge: 15nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V |
на замовлення 135 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFD9220PBF | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -0.36A; 1W; DIP4 Case: DIP4 Mounting: THT Drain-source voltage: -200V Drain current: -360mA On-state resistance: 1.5Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1W Polarisation: unipolar Gate charge: 15nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 135 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFD9220PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
![]() |
IRFD9220PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 351 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
IRFD9220PBF | Виробник : Vishay |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
IRFD9220PBF | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tube Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 560mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 340mA, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 4-HVMDIP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
IRFD9220PBF | Виробник : Vishay / Siliconix |
![]() |
товару немає в наявності |
З цим товаром купують
BSS131H6327 Код товару: 122768
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 240 V
Idd,A: 0,11 A
Rds(on), Ohm: 14 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 58/2,1
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 240 V
Idd,A: 0,11 A
Rds(on), Ohm: 14 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 58/2,1
Монтаж: SMD
у наявності: 325 шт
295 шт - склад
30 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
30 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 5.50 грн |
10+ | 5.00 грн |
100+ | 4.50 грн |
PMBF107 Код товару: 19825
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Philips
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 200 V
Idd,A: 0,1 A
Rds(on), Ohm: 0,28 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 50/-
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 200 V
Idd,A: 0,1 A
Rds(on), Ohm: 0,28 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 50/-
Монтаж: SMD
у наявності: 234 шт
68 шт - РАДІОМАГ-Київ
25 шт - РАДІОМАГ-Львів
65 шт - РАДІОМАГ-Харків
26 шт - РАДІОМАГ-Одеса
50 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
25 шт - РАДІОМАГ-Львів
65 шт - РАДІОМАГ-Харків
26 шт - РАДІОМАГ-Одеса
50 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 6.00 грн |
10+ | 5.40 грн |
100+ | 4.90 грн |
1000+ | 4.40 грн |