на замовлення 3130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 218+ | 58.37 грн |
| 233+ | 54.52 грн |
| 250+ | 54.39 грн |
| 500+ | 50.88 грн |
| 1000+ | 44.57 грн |
| 2500+ | 42.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFD9220PBF Vishay
Description: VISHAY - IRFD9220PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 560 mA, 1.5 ohm, HVMDIP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 560mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.3W, Bauform - Transistor: HVMDIP, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції IRFD9220PBF за ціною від 26.24 грн до 226.28 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRFD9220PBF | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET P-CH 200V 0.56A 4-Pin HVMDIP |
на замовлення 3130 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFD9220PBF | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRFD9220PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 560 mA, 1.5 ohm, HVMDIP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 560mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.3W Bauform - Transistor: HVMDIP Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 1770 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFD9220PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 200V 0.56A 4-Pin HVMDIP |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
 |
IRFD9220PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 200V 0.56A 4-Pin HVMDIP |
на замовлення 351 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| IRFD9220PBF | Виробник : VISHAY |
IRFD9220PBF THT P channel transistors |
на замовлення 135 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
IRFD9220PBF (DIP-4, Siliconix) Код товару: 31846
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : Siliconix |
Транзистори > Польові P-канальні Корпус: HD-1 Uds,V: 200 V Id,A: 0,6 A Rds(on),Om: 1,5 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 340/15 Монтаж: THT |
товару немає в наявності
|
|
|||||||||||||||||
 |
IRFD9220PBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 200V 560MA 4DIP Packaging: Tube Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 560mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 340mA, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 4-HVMDIP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
IRFD9220PBF | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs HVMDIP 200V .56A P-CH MOSFET |
товару немає в наявності |