Технічний опис IRFI510GPBF Vishay
Description: VISHAY - IRFI510GPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 4.5 A, 0.54 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 27W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRFI510GPBF за ціною від 51.78 грн до 280.50 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFI510GPBF | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 100V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
на замовлення 479 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFI510GPBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.5A; Idm: 18A; 27W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 4.5A Power dissipation: 27W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.54Ω Mounting: THT Gate charge: 8.3nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 18A |
на замовлення 930 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFI510GPBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 4.5A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 2.7A, 10V Power Dissipation (Max): 27W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V |
на замовлення 364 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFI510GPBF | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRFI510GPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 4.5 A, 0.54 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 27W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 1240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFI510GPBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO220 100V 4.5A N-CH MOSFET |
на замовлення 935 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFI510GPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
на замовлення 930 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFI510GPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
на замовлення 130 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
|
|
IRFI510GPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
IRFI510GPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| IRFI510GPBF | Виробник : Vishay Siliconix |
TO-220FP Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |