на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 155+ | 79.25 грн |
| 179+ | 68.60 грн |
| 250+ | 67.95 грн |
| 500+ | 59.43 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFI530GPBF Vishay
Description: MOSFET N-CH 100V 9.7A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 5.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 42W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRFI530GPBF за ціною від 54.08 грн до 172.68 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRFI530GPBF | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pak |
на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFI530GPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pak |
на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFI530GPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pak |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFI530GPBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO220 100V 9.7A N-CH MOSFET |
на замовлення 2007 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFI530GPBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 9.7A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 5.8A, 10V Power Dissipation (Max): 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V |
на замовлення 986 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFI530GPBF Код товару: 163016
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||
 |
IRFI530GPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pak |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
IRFI530GPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pak |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
IRFI530GPBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.9A; 42W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 6.9A Power dissipation: 42W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.16Ω Mounting: THT Gate charge: 33nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
IRFI530GPBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.9A; 42W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 6.9A Power dissipation: 42W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.16Ω Mounting: THT Gate charge: 33nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |