IRFI620GPBF VISHAY
Виробник: VISHAYDescription: VISHAY - IRFI620GPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 4.1 A, 0.8 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 571 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 146.55 грн |
| 10+ | 118.55 грн |
| 100+ | 67.10 грн |
| 500+ | 57.95 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFI620GPBF VISHAY
Description: VISHAY - IRFI620GPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 4.1 A, 0.8 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 30W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Інші пропозиції IRFI620GPBF за ціною від 52.33 грн до 152.41 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFI620GPBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 200V 4.1A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V |
на замовлення 575 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFI620GPBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO220 200V 4.1A N-CH MOSFET |
на замовлення 2657 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFI620GPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
IRFI620GPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IRFI620GPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| IRFI620GPBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 4.1A; Idm: 16A; 30W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 4.1A Power dissipation: 30W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.8Ω Mounting: THT Gate charge: 14nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 16A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| IRFI620GPBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 4.1A; Idm: 16A; 30W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 4.1A Power dissipation: 30W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.8Ω Mounting: THT Gate charge: 14nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 16A |
товару немає в наявності |