| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 116+ | 126.42 грн |
| 129+ | 113.98 грн |
| 138+ | 106.57 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
116 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFI630GPBF Vishay
Description: MOSFET N-CH 200V 5.9A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 35W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRFI630GPBF за ціною від 41.51 грн до 329.00 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFI630GPBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 5.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
на замовлення 1950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFI630GPBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 5.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
на замовлення 475 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFI630GPBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 5.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
на замовлення 988 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFI630GPBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.7A; 35W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 3.7A Power dissipation: 35W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.4Ω Mounting: THT Gate charge: 43nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 475 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFI630GPBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 5.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFI630GPBF | Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO220 200V 5.9A N-CH MOSFET |
на замовлення 1629 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFI630GPBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 200V 5.9A TO220-3Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V |
на замовлення 131 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFI630GPBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 5.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
на замовлення 1955 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFI630GPBF | VISHAY |
Description: VISHAY - IRFI630GPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 5.9 A, 0.4 ohm, TO-220FP, DurchsteckmontageTransistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200 Dauer-Drainstrom Id: 5.9 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 32 Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.4 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 4 SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
на замовлення 320 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IRFI630GPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 5.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
Trans MOSFET N-CH 200V 5.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 104+ | 141.51 грн |
| 105+ | 140.10 грн |
| 113+ | 130.36 грн |
| 500+ | 109.43 грн |
| IRFI630GPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 5.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
Trans MOSFET N-CH 200V 5.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 89+ | 165.06 грн |
| 101+ | 145.97 грн |
| 107+ | 137.78 грн |
| 250+ | 123.65 грн |
| IRFI630GPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 5.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
Trans MOSFET N-CH 200V 5.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 87+ | 169.11 грн |
| 88+ | 167.41 грн |
| 104+ | 141.13 грн |
| 500+ | 134.84 грн |
| IRFI630GPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.7A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3.7A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.7A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3.7A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 475 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 209.84 грн |
| 10+ | 94.89 грн |
| 22+ | 44.05 грн |
| 61+ | 41.51 грн |
| IRFI630GPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 5.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
Trans MOSFET N-CH 200V 5.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 57+ | 256.57 грн |
| 100+ | 208.41 грн |
| 500+ | 154.72 грн |
| IRFI630GPBF |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 200V 5.9A N-CH MOSFET
MOSFETs TO220 200V 5.9A N-CH MOSFET
на замовлення 1629 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 280.28 грн |
| 10+ | 135.55 грн |
| 100+ | 104.35 грн |
| 500+ | 85.58 грн |
| 2000+ | 81.08 грн |
| 5000+ | 80.33 грн |
| IRFI630GPBF |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 5.9A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 200V 5.9A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
на замовлення 131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 280.30 грн |
| 10+ | 176.74 грн |
| 50+ | 136.70 грн |
| 100+ | 116.17 грн |
| IRFI630GPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 5.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
Trans MOSFET N-CH 200V 5.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 1955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 329.00 грн |
| 10+ | 142.61 грн |
| 50+ | 141.19 грн |
| 100+ | 126.68 грн |
| 500+ | 102.10 грн |
| IRFI630GPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFI630GPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 5.9 A, 0.4 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 5.9
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 32
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.4
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: VISHAY - IRFI630GPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 5.9 A, 0.4 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 5.9
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 32
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.4
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)







