| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 116+ | 122.06 грн |
| 129+ | 110.05 грн |
| 138+ | 102.90 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFI630GPBF Vishay
Description: MOSFET N-CH 200V 5.9A TO220-3, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: TO-220-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 35W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.5A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab, Packaging: Tube.
Інші пропозиції IRFI630GPBF за ціною від 88.70 грн до 247.72 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFI630GPBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 5.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
на замовлення 988 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFI630GPBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 5.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFI630GPBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.7A; 35W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 3.7A Power dissipation: 35W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.4Ω Mounting: THT Gate charge: 43nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 496 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFI630GPBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 5.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
на замовлення 498 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFI630GPBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 200V 5.9A TO220-3Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 35W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Packaging: Tube |
на замовлення 386 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFI630GPBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 5.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFI630GPBF | Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO220 200V 5.9A N-CH MOSFET |
на замовлення 1756 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
IRFI630GPBF | VISHAY |
Description: VISHAY - IRFI630GPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 5.9 A, 0.4 ohm, TO-220FP, DurchsteckmontageTransistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200 Dauer-Drainstrom Id: 5.9 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 32 Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.4 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 4 SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
на замовлення 320 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IRFI630GPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 5.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
Trans MOSFET N-CH 200V 5.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 87+ | 163.28 грн |
| 88+ | 161.64 грн |
| 104+ | 136.27 грн |
| 500+ | 130.19 грн |
| IRFI630GPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 5.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
Trans MOSFET N-CH 200V 5.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 163.79 грн |
| 50+ | 162.15 грн |
| 100+ | 136.70 грн |
| 500+ | 130.61 грн |
| 1000+ | 104.91 грн |
| IRFI630GPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.7A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3.7A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.7A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3.7A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 496 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 168.51 грн |
| 10+ | 107.94 грн |
| 50+ | 102.09 грн |
| 100+ | 96.23 грн |
| 250+ | 88.70 грн |
| IRFI630GPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 5.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
Trans MOSFET N-CH 200V 5.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 76+ | 186.57 грн |
| 106+ | 133.69 грн |
| IRFI630GPBF |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 5.9A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
Description: MOSFET N-CH 200V 5.9A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
на замовлення 386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 240.88 грн |
| 50+ | 117.24 грн |
| 100+ | 106.06 грн |
| IRFI630GPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 5.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
Trans MOSFET N-CH 200V 5.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 57+ | 247.72 грн |
| 100+ | 201.23 грн |
| 500+ | 149.38 грн |
| IRFI630GPBF |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 200V 5.9A N-CH MOSFET
MOSFETs TO220 200V 5.9A N-CH MOSFET
на замовлення 1756 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IRFI630GPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFI630GPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 5.9 A, 0.4 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 5.9
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 32
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.4
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: VISHAY - IRFI630GPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 5.9 A, 0.4 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 5.9
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 32
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.4
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)







