Продукція > VISHAY > IRFI630GPBF
IRFI630GPBF

IRFI630GPBF Vishay

doc91148.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 5.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
87+164.00 грн
88+162.36 грн
104+136.87 грн
500+130.77 грн
Мінімальне замовлення: 87 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFI630GPBF Vishay

Description: MOSFET N-CH 200V 5.9A TO220-3, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: TO-220-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 35W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.5A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab, Packaging: Tube.

Інші пропозиції IRFI630GPBF за ціною від 74.72 грн до 260.69 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IRFI630GPBF IRFI630GPBF Vishay doc91148.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 5.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+164.52 грн
50+162.87 грн
100+137.31 грн
500+131.19 грн
1000+105.38 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI630GPBF IRFI630GPBF VISHAY IRFI630G.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.7A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3.7A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 496 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+169.27 грн
10+108.43 грн
50+102.54 грн
100+96.66 грн
250+89.09 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI630GPBF IRFI630GPBF Vishay doc91148.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 5.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
76+187.40 грн
106+134.28 грн
Мінімальне замовлення: 76 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI630GPBF IRFI630GPBF Vishay Siliconix 91148.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 5.9A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
на замовлення 386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+241.95 грн
50+117.77 грн
100+106.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI630GPBF IRFI630GPBF Vishay Semiconductors 91148.pdf MOSFETs TO220 200V 5.9A N-CH MOSFET
на замовлення 1756 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+260.69 грн
10+130.09 грн
100+92.87 грн
500+86.59 грн
1000+75.41 грн
2000+74.72 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI630GPBF doc91148.pdf
IRFI630GPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 5.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+164.52 грн
50+162.87 грн
100+137.31 грн
500+131.19 грн
1000+105.38 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI630GPBF IRFI630G.pdf
IRFI630GPBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.7A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3.7A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 496 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+169.27 грн
10+108.43 грн
50+102.54 грн
100+96.66 грн
250+89.09 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI630GPBF doc91148.pdf
IRFI630GPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 5.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
76+187.40 грн
106+134.28 грн
Мінімальне замовлення: 76 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI630GPBF 91148.pdf
IRFI630GPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 5.9A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
на замовлення 386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+241.95 грн
50+117.77 грн
100+106.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI630GPBF 91148.pdf
IRFI630GPBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 200V 5.9A N-CH MOSFET
на замовлення 1756 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+260.69 грн
10+130.09 грн
100+92.87 грн
500+86.59 грн
1000+75.41 грн
2000+74.72 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.