Продукція > VISHAY SILICONIX > IRFI640GPBF
IRFI640GPBF

IRFI640GPBF Vishay Siliconix

91150.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 9.8A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
на замовлення 597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+313.21 грн
50+155.43 грн
100+141.29 грн
500+109.33 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFI640GPBF Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 200V 9.8A TO220-3, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-220-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 40W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.9A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab, Packaging: Tube.

Інші пропозиції IRFI640GPBF

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IRFI640GPBF Vishay/IR IRFI640G_Vishay.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 9,8 А, Ptot, Вт = 40, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 1300 @ 25, Qg, нКл = 70 @ 10 В, Rds = 180 мОм @ 5,9 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220FP Од. вим: шт
кількість в упаковці: 100 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI640GPBF IRFI640GPBF Vishay Semiconductors 91150.pdf MOSFETs TO220 200V 9.8A N-CH MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI640GPBF IRFI640GPBF VISHAY IRFI640G.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.8A; Idm: 39A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.8A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 39A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI640GPBF IRFI640G_Vishay.pdf
Виробник: Vishay/IR
N-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 9,8 А, Ptot, Вт = 40, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 1300 @ 25, Qg, нКл = 70 @ 10 В, Rds = 180 мОм @ 5,9 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220FP Од. вим: шт
кількість в упаковці: 100 шт
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI640GPBF 91150.pdf
IRFI640GPBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 200V 9.8A N-CH MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI640GPBF IRFI640G.pdf
IRFI640GPBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.8A; Idm: 39A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.8A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 39A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.