на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 53.90 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFI640GPBF Vishay
Description: VISHAY - IRFI640GPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9.8 A, 0.18 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 40W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Інші пропозиції IRFI640GPBF за ціною від 54.56 грн до 202.03 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFI640GPBF | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 200V 9.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
на замовлення 335 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFI640GPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 9.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
на замовлення 335 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFI640GPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 9.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
на замовлення 1460 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFI640GPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 9.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
на замовлення 1827 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFI640GPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 9.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
на замовлення 1830 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFI640GPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 9.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFI640GPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 9.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
на замовлення 880 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFI640GPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 9.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
на замовлення 880 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFI640GPBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 200V 9.8A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.9A, 10V Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V |
на замовлення 968 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFI640GPBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.8A; Idm: 39A; 40W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 9.8A Power dissipation: 40W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: THT Gate charge: 70nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 39A |
на замовлення 843 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFI640GPBF | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRFI640GPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9.8 A, 0.18 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 40W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 289 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFI640GPBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO220 200V 9.8A N-CH MOSFET |
на замовлення 1726 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFI640GPBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.8A; Idm: 39A; 40W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 9.8A Power dissipation: 40W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: THT Gate charge: 70nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 39A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 843 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|