Продукція > VISHAY > IRFI640GPBF
IRFI640GPBF

IRFI640GPBF Vishay

doc91150.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 9.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+191.49 грн
50+189.64 грн
100+141.98 грн
500+114.69 грн
1000+104.28 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 5 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFI640GPBF Vishay

Description: VISHAY - IRFI640GPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9.8 A, 0.18 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 40W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRFI640GPBF за ціною від 64.53 грн до 361.84 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRFI640GPBF IRFI640GPBF Vishay doc91150.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 9.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
77+191.49 грн
78+189.64 грн
104+141.98 грн
500+114.69 грн
1000+104.28 грн
Мінімальне замовлення: 77 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI640GPBF IRFI640GPBF Vishay Semiconductors 91150.pdf MOSFETs TO220 200V 9.8A N-CH MOSFET
на замовлення 3794 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+245.77 грн
10+161.79 грн
100+112.10 грн
500+91.04 грн
1000+84.26 грн
2000+75.09 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI640GPBF IRFI640GPBF Vishay doc91150.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 9.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 599 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
52+285.72 грн
62+237.88 грн
100+211.90 грн
150+188.51 грн
250+158.68 грн
500+131.24 грн
Мінімальне замовлення: 52 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI640GPBF IRFI640GPBF VISHAY IRFI640G.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.8A; Idm: 39A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.8A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 39A
на замовлення 599 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+288.01 грн
10+164.71 грн
15+67.92 грн
40+64.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI640GPBF IRFI640GPBF Vishay Siliconix 91150.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 9.8A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 1867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+361.84 грн
10+230.08 грн
50+179.34 грн
100+152.99 грн
500+126.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI640GPBF IRFI640GPBF VISHAY VISH-S-A0013608700-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFI640GPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9.8 A, 0.18 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI640GPBF doc91150.pdf
IRFI640GPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 9.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
77+191.49 грн
78+189.64 грн
104+141.98 грн
500+114.69 грн
1000+104.28 грн
Мінімальне замовлення: 77 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI640GPBF 91150.pdf
IRFI640GPBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 200V 9.8A N-CH MOSFET
на замовлення 3794 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+245.77 грн
10+161.79 грн
100+112.10 грн
500+91.04 грн
1000+84.26 грн
2000+75.09 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI640GPBF doc91150.pdf
IRFI640GPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 9.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 599 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
52+285.72 грн
62+237.88 грн
100+211.90 грн
150+188.51 грн
250+158.68 грн
500+131.24 грн
Мінімальне замовлення: 52 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI640GPBF IRFI640G.pdf
IRFI640GPBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.8A; Idm: 39A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.8A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 39A
на замовлення 599 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+288.01 грн
10+164.71 грн
15+67.92 грн
40+64.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI640GPBF 91150.pdf
IRFI640GPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 9.8A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 1867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+361.84 грн
10+230.08 грн
50+179.34 грн
100+152.99 грн
500+126.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI640GPBF VISH-S-A0013608700-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFI640GPBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFI640GPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9.8 A, 0.18 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.