Інші пропозиції IRFI644GPBF за ціною від 62.43 грн до 263.95 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFI644GPBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 250V 7.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
на замовлення 1188 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFI644GPBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 250V 7.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
на замовлення 1190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFI644GPBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 5A; 40W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 5A Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 68nC Power dissipation: 40W |
на замовлення 18 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFI644GPBF | Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO220 250V 7.9A N-CH MOSFET |
на замовлення 1518 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFI644GPBF | VISHAY |
Description: VISHAY - IRFI644GPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 7.9 A, 0.28 ohm, TO-220FP, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 40W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 235 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFI644GPBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 250V 7.9A TO220-3Supplier Device Package: TO-220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.7A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active |
на замовлення 3981 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| IRFI644GPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 250V 7.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
Trans MOSFET N-CH 250V 7.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 1188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 136+ | 104.69 грн |
| 137+ | 103.65 грн |
| 139+ | 102.61 грн |
| 140+ | 97.95 грн |
| 500+ | 89.45 грн |
| 1000+ | 69.71 грн |
| IRFI644GPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 250V 7.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
Trans MOSFET N-CH 250V 7.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 1190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 104.90 грн |
| 10+ | 103.85 грн |
| 25+ | 102.82 грн |
| 50+ | 98.14 грн |
| 100+ | 89.96 грн |
| 500+ | 85.19 грн |
| 1000+ | 69.15 грн |
| IRFI644GPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 5A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 5A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 68nC
Power dissipation: 40W
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 5A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 5A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 68nC
Power dissipation: 40W
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 190.09 грн |
| 5+ | 110.11 грн |
| 10+ | 103.38 грн |
| IRFI644GPBF |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 250V 7.9A N-CH MOSFET
MOSFETs TO220 250V 7.9A N-CH MOSFET
на замовлення 1518 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 217.51 грн |
| 10+ | 126.07 грн |
| 100+ | 85.19 грн |
| 500+ | 69.06 грн |
| 1000+ | 64.87 грн |
| 2000+ | 62.43 грн |
| IRFI644GPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFI644GPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 7.9 A, 0.28 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - IRFI644GPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 7.9 A, 0.28 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 255.80 грн |
| 10+ | 145.82 грн |
| 100+ | 122.20 грн |
| IRFI644GPBF |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 7.9A TO220-3
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Description: MOSFET N-CH 250V 7.9A TO220-3
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
на замовлення 3981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 263.95 грн |
| 50+ | 130.90 грн |
| 100+ | 118.98 грн |
| 500+ | 99.56 грн |








