Інші пропозиції IRFI644GPBF за ціною від 76.08 грн до 262.78 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFI644GPBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 250V 7.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
на замовлення 4185 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFI644GPBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 250V 7.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
на замовлення 4190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFI644GPBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 5A; 40W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 5A Power dissipation: 40W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: THT Gate charge: 68nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 18 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFI644GPBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 250V 7.9A TO220-3Supplier Device Package: TO-220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.7A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active |
на замовлення 3981 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFI644GPBF | VISHAY |
Description: VISHAY - IRFI644GPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 7.9 A, 0.28 ohm, TO-220FP, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 40W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm |
на замовлення 245 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
IRFI644GPBF | Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO220 250V 7.9A N-CH MOSFET |
на замовлення 1518 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IRFI644GPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 250V 7.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
Trans MOSFET N-CH 250V 7.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 4185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 106+ | 133.89 грн |
| 107+ | 132.55 грн |
| 108+ | 131.22 грн |
| 128+ | 106.54 грн |
| 500+ | 84.68 грн |
| 1000+ | 76.85 грн |
| 2500+ | 76.08 грн |
| IRFI644GPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 250V 7.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
Trans MOSFET N-CH 250V 7.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 4190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 183.46 грн |
| 10+ | 134.64 грн |
| 25+ | 133.29 грн |
| 50+ | 127.24 грн |
| 100+ | 99.20 грн |
| 500+ | 81.74 грн |
| 1000+ | 77.28 грн |
| 2500+ | 76.50 грн |
| IRFI644GPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 5A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 5A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 68nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 5A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 5A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 68nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 189.24 грн |
| 5+ | 109.62 грн |
| 10+ | 102.92 грн |
| IRFI644GPBF |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 7.9A TO220-3
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Description: MOSFET N-CH 250V 7.9A TO220-3
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
на замовлення 3981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 262.78 грн |
| 50+ | 130.32 грн |
| 100+ | 118.45 грн |
| 500+ | 99.12 грн |
| IRFI644GPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFI644GPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 7.9 A, 0.28 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 40W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
Description: VISHAY - IRFI644GPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 7.9 A, 0.28 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 40W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
на замовлення 245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRFI644GPBF |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 250V 7.9A N-CH MOSFET
MOSFETs TO220 250V 7.9A N-CH MOSFET
на замовлення 1518 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)







