Технічний опис IRFI820GPBF Vishay
Description: VISHAY - IRFI820GPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 2.1 A, 3 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 30W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Інші пропозиції IRFI820GPBF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
IRFI820GPBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 2.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
|
IRFI820GPBF | Vishay Semiconductors |
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFI |
на замовлення 3426 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
|
IRFI820GPBF | VISHAY |
Description: VISHAY - IRFI820GPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 2.1 A, 3 ohm, TO-220FP, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 30W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
на замовлення 474 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
|
IRFI820GPBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 2.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
на замовлення 120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 12 шт В кошику од. на суму грн. |
| IRFI820GPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 2.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
Trans MOSFET N-CH 500V 2.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRFI820GPBF |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFI
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFI
на замовлення 3426 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IRFI820GPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFI820GPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 2.1 A, 3 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: VISHAY - IRFI820GPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 2.1 A, 3 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRFI820GPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 2.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
Trans MOSFET N-CH 500V 2.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)





