на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 35.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFI830GPBF Vishay
Description: MOSFET N-CH 500V 3.1A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.9A, 10V, Power Dissipation (Max): 35W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRFI830GPBF за ціною від 40.93 грн до 125.08 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFI830GPBF | Виробник : VISHAY |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2A; 35W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 2A Power dissipation: 35W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: THT Gate charge: 38nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 498 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFI830GPBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2A; 35W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 2A Power dissipation: 35W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: THT Gate charge: 38nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 498 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFI830GPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
на замовлення 990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFI830GPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFI830GPBF | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRFI830GPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3.1 A, 1.5 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 32W Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm |
на замовлення 683 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFI830GPBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 500V 3.1A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.9A, 10V Power Dissipation (Max): 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V |
на замовлення 783 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFI830GPBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET RECOMMENDED ALT IRFI830G |
на замовлення 1980 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFI830GPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
товар відсутній |