Технічний опис IRFI830GPBF Vishay
Description: MOSFET N-CH 500V 3.1A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.9A, 10V, Power Dissipation (Max): 35W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRFI830GPBF за ціною від 50.89 грн до 191.60 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFI830GPBF | Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 500V 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
на замовлення 665 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFI830GPBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2A; 35W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 2A Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 38nC Power dissipation: 35W |
на замовлення 112 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFI830GPBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 500V 3.1A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.9A, 10V Power Dissipation (Max): 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V |
на замовлення 148 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFI830GPBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
на замовлення 113 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFI830GPBF | Vishay Semiconductors |
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFI |
на замовлення 159 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| IRFI830GPBF |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
Trans MOSFET N-CH 500V 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 101.29 грн |
| 10+ | 87.60 грн |
| 100+ | 79.76 грн |
| 500+ | 75.47 грн |
| IRFI830GPBF |
|
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 38nC
Power dissipation: 35W
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 38nC
Power dissipation: 35W
на замовлення 112 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 135.22 грн |
| 10+ | 93.32 грн |
| 50+ | 83.14 грн |
| 100+ | 78.05 грн |
| IRFI830GPBF |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 3.1A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 500V 3.1A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 169.69 грн |
| 10+ | 105.22 грн |
| 100+ | 72.00 грн |
| IRFI830GPBF |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
Trans MOSFET N-CH 500V 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 84+ | 170.29 грн |
| 94+ | 151.81 грн |
| 100+ | 143.89 грн |
| IRFI830GPBF |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFI
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFI
на замовлення 159 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 191.60 грн |
| 10+ | 113.48 грн |
| 100+ | 72.60 грн |
| 500+ | 65.48 грн |
| 1000+ | 57.58 грн |
| 2000+ | 54.48 грн |
| 5000+ | 50.89 грн |