
на замовлення 755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 113.70 грн |
10+ | 83.14 грн |
100+ | 76.08 грн |
500+ | 71.09 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFI9620GPBF Vishay
Description: MOSFET P-CH 200V 3A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 30W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V.
Інші пропозиції IRFI9620GPBF за ціною від 66.34 грн до 185.39 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRFI9620GPBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 755 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IRFI9620GPBF | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.8A, 10V Power Dissipation (Max): 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V |
на замовлення 4347 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IRFI9620GPBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 675 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IRFI9620GPBF | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||
IRFI9620GPBF | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -3A; Idm: -12A; 30W; TO220FP Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -200V Drain current: -3A Power dissipation: 30W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: THT Gate charge: 15nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: -12A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||
IRFI9620GPBF | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -3A; Idm: -12A; 30W; TO220FP Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -200V Drain current: -3A Power dissipation: 30W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: THT Gate charge: 15nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: -12A |
товару немає в наявності |