IRFI9630GPBF VISHAY
Виробник: VISHAYDescription: VISHAY - IRFI9630GPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 4.3 A, 0.8 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 165.84 грн |
| 10+ | 122.52 грн |
| 100+ | 90.39 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFI9630GPBF VISHAY
Description: VISHAY - IRFI9630GPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 4.3 A, 0.8 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 35W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Інші пропозиції IRFI9630GPBF за ціною від 71.06 грн до 191.12 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFI9630GPBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 200V 4.3A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.6A, 10V Power Dissipation (Max): 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V |
на замовлення 2043 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFI9630GPBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET 200V P-CH HEXFET MOSFET |
на замовлення 1254 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFI9630GPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 200V 4.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
IRFI9630GPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 200V 4.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
IRFI9630GPBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2.7A; 35W; TO220FP Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -200V Drain current: -2.7A Power dissipation: 35W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.8Ω Mounting: THT Gate charge: 29nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IRFI9630GPBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2.7A; 35W; TO220FP Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -200V Drain current: -2.7A Power dissipation: 35W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.8Ω Mounting: THT Gate charge: 29nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |