IRFI9630GPBF VISHAY
Виробник: VISHAYCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2.7A; 35W; TO220FP
Case: TO220FP
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -2.7A
On-state resistance: 0.8Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 35W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 29nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
на замовлення 352 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 100.68 грн |
| 10+ | 62.07 грн |
| 19+ | 48.28 грн |
| 52+ | 45.21 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFI9630GPBF VISHAY
Description: VISHAY - IRFI9630GPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 4.3 A, 0.8 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 35W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Інші пропозиції IRFI9630GPBF за ціною від 54.26 грн до 225.73 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRFI9630GPBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2.7A; 35W; TO220FP Case: TO220FP Drain-source voltage: -200V Drain current: -2.7A On-state resistance: 0.8Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 35W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 29nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 352 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IRFI9630GPBF | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRFI9630GPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 4.3 A, 0.8 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 35W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 385 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IRFI9630GPBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 200V 4.3A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.6A, 10V Power Dissipation (Max): 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V |
на замовлення 2007 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IRFI9630GPBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO220 200V 4.3A P-CH MOSFET |
на замовлення 1228 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IRFI9630GPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 200V 4.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
IRFI9630GPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 200V 4.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
товару немає в наявності |